上海海栎创科技股份有限公司龙煜宸获国家专利权
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龙图腾网获悉上海海栎创科技股份有限公司申请的专利一种抑制热载流子注入效应的开关电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121461950B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610007451.0，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权一种抑制热载流子注入效应的开关电路及方法是由龙煜宸;陈建球设计研发完成，并于2026-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制热载流子注入效应的开关电路及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，本发明揭示了一种抑制热载流子注入效应的开关电路及方法，所述抑制热载流子注入效应的开关电路包括第一开关管和第二开关管阵列；第二开关管阵列包括多个并联连接的开关晶体管，第一开关管与第二开关管阵列并联连接，第一开关管的导通面积小于第二开关管阵列的总导通面积，第一开关管配置为先于第二开关管阵列导通。本发明能够在实现大电流传输的同时有效抑制热载流子注入效应。
本发明授权一种抑制热载流子注入效应的开关电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制热载流子注入效应的开关电路，其特征在于，包括第一开关管和第二开关管阵列；所述第二开关管阵列包括多个并联连接的开关晶体管，所述第一开关管与所述第二开关管阵列并联连接，所述第一开关管的导通面积小于所述第二开关管阵列的总导通面积，所述第一开关管配置为先于所述第二开关管阵列导通； 所述第一开关管和所述开关晶体管均为NMOS晶体管，所述第一开关管为长沟道NMOS晶体管，所述开关晶体管为短沟道NMOS晶体管；所述第一开关管和所述第二开关管阵列的控制信号由时序控制电路产生，所述时序控制电路用于接收使能信号，产生第一控制信号使所述第一开关管导通，经过预设的延迟时间后，再产生第二控制信号使所述第二开关管阵列导通。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海海栎创科技股份有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区学林路36弄10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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