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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利背接触太阳电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610093644.2，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权背接触太阳电池是由雷华勇;陈先知;邓明璋;李中兰设计研发完成，并于2026-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳电池在说明书摘要公布了：本申请提供了背接触太阳电池，包括硅衬底、第一金属栅线、第二金属栅线、第一钝化层、第二钝化层和保护层；第一金属栅线和第二金属栅线设于硅衬底背面，相邻的部分第一金属栅线和第二金属栅线之间间隔形成保护层容置区；第一钝化层设于硅衬底正面，第二钝化层设于硅衬底背面且位于保护层容置区内；保护层设于第一钝化层背离硅衬底表面，保护层在硅衬底背面的正投影位于保护层容置区在硅衬底背面的正投影内；保护层厚度h1、第一金属栅线远离第二钝化层的一端与第二钝化层距离h2、第二金属栅线远离第二钝化层的一端与第二钝化层距离h3满足h1h2，h1h3。该背接触太阳电池在堆叠后背面的金属栅线不易对正面绒面造成划伤。

本发明授权背接触太阳电池在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳电池，其特征在于，包括硅衬底、第一金属栅线、第二金属栅线、第一钝化层、第二钝化层和保护层； 所述第一金属栅线和所述第二金属栅线均设于所述硅衬底的背面，且相邻的部分所述第一金属栅线和部分所述第二金属栅线之间间隔形成保护层容置区； 所述第一钝化层设于所述硅衬底的正面，所述第二钝化层设于所述硅衬底的背面且位于所述保护层容置区内； 所述保护层设于所述第一钝化层背离所述硅衬底的表面，所述保护层在硅衬底背面的正投影位于所述保护层容置区在硅衬底背面的正投影范围内；所述保护层的厚度为h1；所述第一金属栅线远离第二钝化层的一端与第二钝化层的距离为h2；所述第二金属栅线远离第二钝化层的一端与第二钝化层的距离为h3；且满足h1h2，h1h3； 所述背接触太阳电池还包括保护框，所述保护框设于所述硅衬底的正面，所述保护层位于所述保护框内；所有的所述第一金属栅线和所述第二金属栅线在硅衬底正面的正投影均位于所述保护框在硅衬底正面的正投影范围内；当将多个背接触太阳电池上下堆叠时，所述保护框能够将硅衬底背面的第一金属栅线和第二金属栅线围设在其中；所述保护框的厚度大于或等于所述保护层的厚度。

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