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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种面向复杂微纳结构的多级精细套刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121578592B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610107356.8，技术领域涉及：G03F7/095；该发明授权一种面向复杂微纳结构的多级精细套刻方法是由廉盟;张鸣琪;曹暾;郑闯;刘健;张磊;陈子健;刘宽;曹高峰;贾婧媛;苏莹设计研发完成，并于2026-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向复杂微纳结构的多级精细套刻方法在说明书摘要公布了：一种面向复杂微纳结构的多级精细套刻方法，属于微纳加工技术领域。所述多级精细套刻方法中，首先，基于双层光刻胶体系，通过优化上下胶层厚度、旋涂参数与两次独立显影工艺，形成具有精准底切轮廓的图形化掩膜；随后，通过预设于掩膜模具的全局对准标记组，在800nm至3μm的对准精度范围内进行逐层套刻对准；最后，结合磁控溅射与精准剥离工艺，实现高精度金属或介质薄膜图形的无残留转移，依次完成多层微纳复合结构的制备。本发明在保证高精度集成制造的同时能够简化工艺流程，增强工艺兼容性，降低设备投入与制造成本，为复杂微纳器件的批量制造提供可靠的技术路径，在集成光学、MEMS及多功能传感器等领域具有广泛的应用前景。

本发明授权一种面向复杂微纳结构的多级精细套刻方法在权利要求书中公布了：1.一种面向复杂微纳结构的多级精细套刻方法，其特征在于，所述多级精细套刻方法包括以下步骤： 第一步：对衬底进行预处理，去除衬底表面的微小颗粒和氧化物，增强光刻胶与衬底之间的附着力； 第二步：在衬底表面旋涂两种不同灵敏度的正性光刻胶，得到双层胶胶膜结构；具体的： 首先去除衬底表面水汽；然后，通过旋转涂抹法，基于材料薄膜的需求厚度确定正性光刻胶的厚度，选择旋胶参数，旋涂两种不同灵敏度的正性光刻胶，先旋涂高灵敏度的正性光刻胶，后旋涂低灵敏度的正性光刻胶，得到双层胶胶膜结构； 第三步：对第二步形成的双层胶胶膜结构进行掩膜曝光； 第四步：对曝光后的双层胶胶膜结构进行双重显影，显影过程中高灵敏度光刻胶相比于低灵敏度光刻胶显影结构更宽，进而形成具有底切结构的胶膜结构；具体的： 步骤4.1，对曝光后的双层胶胶膜结构进行第一次显影，将双层胶胶膜结构完全浸泡在显影液中2~4秒，显影后均用去离子水冲淋，并用氮气吹干，形成未完全显影的双层胶胶膜结构； 步骤4.2，对未完全显影的双层胶胶膜结构进行第二次显影，将未完全显影的双层胶胶膜结构完全浸泡在显影液中2~4秒，显影后均用去离子水冲淋，并用氮气吹干，得到具有底切结构的胶膜结构； 第五步：在具有底切结构的胶膜结构上沉积材料薄膜； 第六步：将沉积后的材料薄膜进行剥离，去除多余正性光刻胶及材料薄膜，得到第一层结构； 通过第一步到第六步的制备过程，得到微纳结构的第一层结构； 第七步，根据需求微纳结构层数，以第一层结构作为新的衬底，重复第一步到第六步，依次制备微纳结构各层结构，实现多级复杂微纳结构集成。

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