合肥晶合集成电路股份有限公司朱丁盛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121604493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610130109.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质是由朱丁盛;胡琪;秦绪威设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明提供的一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质，所述控制方法包括：制作栅介质层，测量并获取所述栅介质层的第一厚度；在所述栅介质层的基础上形成栅极多晶硅层，并对所述栅极多晶硅层表面进行氧化，得到离子阻挡层，测量并获取所述多晶硅层的第二厚度及离子阻挡层的第三厚度；根据所述第一厚度、所述第二厚度以及所述第三厚度确定栅极预掺杂的离子注入量，以对所述栅极多晶硅层进行离子注入，使得完成栅极预掺杂后器件的阈值电压保持在预设目标电压范围内。本发明可在不增加任何器件制作的工艺步骤的情况下动态调整预掺杂后的阈值电压，保障阈值电压控制精度和产品的稳定性。
本发明授权一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件阈值电压控制方法，其特征在于，所述控制方法包括： 制作栅介质层，测量并获取所述栅介质层的第一厚度； 在所述栅介质层的基础上形成栅极多晶硅层，并对所述栅极多晶硅层表面进行氧化，得到离子阻挡层，测量并获取所述栅极多晶硅层的第二厚度及所述离子阻挡层的第三厚度； 根据所述第一厚度、所述第二厚度以及所述第三厚度确定栅极预掺杂的离子注入量，以对所述栅极多晶硅层进行离子注入，使得完成栅极预掺杂后器件的阈值电压保持在预设目标电压范围内；根据所述第一厚度、第二厚度以及第三厚度确定栅极预掺杂的离子注入量的步骤包括：将所述第一厚度、所述第二厚度以及所述第三厚度作为预设预测模型的输入，以基于所述预设预测模型计算得到所述离子注入量，其中，所述预设预测模型用于表征第一厚度、第二厚度以及所述第三厚度与所述离子注入量的映射关系。
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