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龙图腾网获悉苏州锴威特半导体股份有限公司申请的专利一种提高压摆率的运算放大器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121643671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610160102.2，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种提高压摆率的运算放大器电路是由谭在超;石永柳;罗寅;丁国华设计研发完成，并于2026-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高压摆率的运算放大器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了集成电路技术领域的一种提高压摆率的运算放大器电路，包括运放基本单元、正相压摆率增强电路和负相压摆率增强电路，运放基本单元包括输入级、共源共栅极和ClassAB输出级，输入级的输出端连接共源共栅极的第一输入端，共源共栅极的输出端连接ClassAB输出级的输入端。本发明通过引入正相与负相压摆率增强电路及各自偏置电路，可根据输入电压动态调节频率补偿电容的充放电电流，在运放稳定工作时不影响电路正常工作；在输入发生大信号阶跃时，压摆率增强电路迅速激活，提升共源共栅极的电流，加速补偿电容的充放电过程，提高电路的压摆率。

本发明授权一种提高压摆率的运算放大器电路在权利要求书中公布了：1.一种提高压摆率的运算放大器电路，其特征在于，包括： 运放基本单元，所述运放基本单元包括输入级、共源共栅极和ClassAB输出级，输入级的输入端用于接收预放大电路的输入信号，输入级的输出端连接共源共栅极的第一输入端，共源共栅极的输出端连接ClassAB输出级的输入端，ClassAB输出级的输出端用于输出信号； 正相压摆率增强电路，所述正相压摆率增强电路的输入端连接输入级的输入端，正相压摆率增强电路的输出端连接共源共栅极的第二输入端，输入级包括第一NMOS管M1和第二NMOS管M2，第一NMOS管M1的源极连接第一电流源I0的输出端和第二NMOS管M2的源极，第一NMOS管M1的漏极连接第一PMOS管M7的源极和第三PMOS管M9的漏极，第二NMOS管M2的漏极连接第二PMOS管M8的源极和第四PMOS管的漏极；共源共栅极包括第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第一PMOS管M7、第二PMOS管M8、第三PMOS管M9和第四PMOS管M10；ClassAB输出级包括第一电阻R1、第一电容C1、第二电阻R2、第二电容C2、第七NMOS管M11和第五PMOS管M12;第一电流源I0的输入端连接第三NMOS管M3的源极、第四NMOS管M4的源极和第十一NMOS管M11的源极，第三NMOS管M3的栅极连接第四NMOS管M4的栅极，第三NMOS管M3的漏极连接第五NMOS管M5的源极，第四NMOS管M4的漏极连接第六NMOS管的源极；第五NMOS管M5的漏极连接第一PMOS管M7的漏极、第三PMOS管M9的栅极和第四PMOS管M10的栅极，第五NMOS管M5的栅极连接第六NMOS管的栅极，第六NMOS管M6的漏极连接第八NMOS管M13的源极、第六PMOS管M14的漏极、第七NMOS管M11的栅极和第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端连接第一电容C1的第一端，第一电容C1的第二端连接第七NMOS管M11的漏极；第一PMOS管M7的栅极连接第二PMOS管M8的栅极，第二PMOS管M8的漏极连接第八NMOS管M13的漏极、第六PMOS管M14的源极、第五PMOS管M12的栅极和第二电阻R2的第一端，第二电阻R2的第二端连接第二电容C2的第一端，第二电容C2的第二端连接第一电容C1的第二端和第五PMOS管M12的漏极；第三PMOS管M9的源极、第四PMOS管M10的源极和第五PMOS管M12的源极均接地； 负相压摆率增强电路，所述负相压摆率增强电路的输入端连接输入级的输入端，负相压摆率增强电路的输出端连接共源共栅极的第三输入端； 所述正相压摆率增强电路和负相压摆率增强电路在输入发生信号阶跃时，输出激励电流至共源共栅管，动态增强频率补偿电容的充放电电流，正相压摆率增强电路还包括第九PMOS管M17、第十PMOS管M18、第十一PMOS管M19和第九NMOS管M20，第五电阻R5的第一端连接第十PMOS管M18的栅极，第五电阻R5的第二端连接第十一PMOS管M19的栅极，第十PMOS管M18的漏极连接第四PMOS管M10的漏极，第十PMOS管M18的源极连接第九PMOS管M17的漏极、第十一PMOS管M19的源极和第二电流源I1的输入端，第十一PMOS管M19的漏极连接第九NMOS管M20的漏极、栅极，第九NMOS管M20的源极连接高电平，第九PMOS管M17的源极和第二电流源I1的输出端接地。

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