成都工业学院李辉获国家专利权
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龙图腾网获悉成都工业学院申请的专利一种压电微泵散热芯片、制备方法及压电散热器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121666079B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610172959.6，技术领域涉及：H10W40/43；该发明授权一种压电微泵散热芯片、制备方法及压电散热器件是由李辉;杜文艺;刘建国;孙云锴;张博;胡婷;樊宝炜;黄小娜;丁义超;邵甄胰设计研发完成，并于2026-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电微泵散热芯片、制备方法及压电散热器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种压电微泵散热芯片、制备方法及压电散热器件，通过在金属层的第二面设置对应于第一面相应区域位置气冷散热腔体结构的压电陶瓷双助推结构，利用压电陶瓷双助推结构驱动金属层沿垂直方向产生第一助推形变与第二助推形变，进而分别在所述金属层不连续的第一区域与第二区域驱动所述腔体结构执行同步的容积调节动作，提升气冷散热腔体结构中气体的驱动强度与流动效率，利用区域不连续但执行同步的第一助推形变与第二助推形变，在维持压电微泵散热芯片处于较高水准的振动幅度与谐振频率的情况下，降低了压电陶瓷结构的振动应力值以及因振动导致陶瓷劈裂的概率，显著提升了压电微泵散热芯片的耐用性能。
本发明授权一种压电微泵散热芯片、制备方法及压电散热器件在权利要求书中公布了：1.一种压电微泵散热芯片，其特征在于，包括： 金属层，所述金属层被配置为具有相对设置的第一面与第二面，所述第一面形成有用于气冷散热的腔体结构； 压电陶瓷层，所述压电陶瓷层设置于所述金属层的第二面，具有压电陶瓷双助推结构，所述压电陶瓷双助推结构被配置为在受到电场作用时，产生垂直于所述金属层的第一助推形变与第二助推形变； 其中，所述压电陶瓷双助推结构，包括： 第一环形助推结构与第二环形助推结构，所述第一环形助推结构与所述第二环形助推结构被配置为同心设置于金属层第二面的双助推区域； 助推同步结构，所述助推同步结构被配置为连接同心设置的所述第一环形助推结构与所述第二环形助推结构； 其中，所述第一助推形变与所述第二助推形变分别在所述金属层的第一区域与第二区域驱动所述腔体结构执行同步的容积调节动作。
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