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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种倒装MEMS三维力传感器及其解耦方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121702608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610211919.8，技术领域涉及：G01L5/162；该发明授权一种倒装MEMS三维力传感器及其解耦方法是由韩香广;冯立强;赵立波;刘元;易龙腾;李大海;蔡琳;寇鑫;单王珍;崔泽宇;夏勇;贾琛设计研发完成，并于2026-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装MEMS三维力传感器及其解耦方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装MEMS三维力传感器及其解耦方法，属于微机电系统多维力传感器技术领域。倒装MEMS三维力传感器包括传感器芯片，传感器芯片由上至下依次为传力凸台、变形体与转接板；变形体正面设有多个与传力凸台固定连接的传力柱，背面与转接板键合。变形体背面对应传力柱外缘处设有第一至第四应力集中槽。第一应力集中槽与第四应力集中槽之间、第二应力集中槽与第三应力集中槽之间、第三应力集中槽与第四应力集中槽之间、第四应力集中槽与第一应力集中槽之间，分别设有第一至第四压敏电阻；第四压敏电阻与变形体边缘间设有第五压敏电阻，第二压敏电阻与变形体边缘间设有第六压敏电阻。本发明实现三维力的高灵敏度检测，以及三维力解耦。

本发明授权一种倒装MEMS三维力传感器及其解耦方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装MEMS三维力传感器，其特征在于，包括传感器芯片和两个定值电阻71，所述传感器芯片包括自上而下设置的传力凸台2、变形体1和转接板4； 所述变形体1的正面设置有多个传力柱151，所述传力柱151与传力凸台2固定连接；所述变形体1的背面与所述转接板4的正面键合； 所述变形体1的背面正对于所述传力柱151的外缘处设置有第一组应力集中槽，所述第一组应力集中槽包括第一应力集中槽131、第二应力集中槽132、第三应力集中槽133和第四应力集中槽134； 所述第一应力集中槽131和第四应力集中槽134之间设置有第一压敏电阻121，所述第二应力集中槽132和第三应力集中槽133之间设置有第二压敏电阻122，所述第三应力集中槽133和第四应力集中槽134之间设置有第三压敏电阻123，所述第一应力集中槽131和第二应力集中槽132之间设置有第四压敏电阻124；所述第一压敏电阻121与所述变形体1的边缘之间设置有第五压敏电阻125，所述第二压敏电阻122和所述变形体1的边缘之间设置有第六压敏电阻126； 所述第一压敏电阻121和第二压敏电阻122串联形成第一支路，所述第三压敏电阻123和第四压敏电阻124串联形成第二支路，所述第五压敏电阻125和第六压敏电阻126串联形成第三支路； 所述两个定值电阻71串联形成第四支路，所述第一支路、第二支路、第三支路和第四支路并联形成解耦电路； 所述第一组应力集中槽外设置有第二组应力集中槽； 所述转接板4正面开设有第一方形槽41和围绕所述第一方形槽41的四个第二方形槽42，所述第一压敏电阻121、第二压敏电阻122、第三压敏电阻123和第四压敏电阻124在所述转接板4正面的正投影均位于所述第一方形槽41内； 所述第五压敏电阻125和所述第六压敏电阻126在所述转接板4正面的正投影分别位于两个相对的第二方形槽42内； 所述第二组应力集中槽包括第五应力集中槽135、第六应力集中槽136、第七应力集中槽137和第八应力集中槽138，所述第二组应力集中槽环绕所述第一组应力集中槽设置，所述第二组应力集中槽外缘的正投影落于所述第一方形槽41的边缘；所有应力集中槽均为L形。

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