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龙图腾网获悉无锡硅动力微电子股份有限公司申请的专利一种反极性保护电路、开关模块及其应用电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121710145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610155624.3，技术领域涉及：H02H11/00；该发明授权一种反极性保护电路、开关模块及其应用电路是由张家振;励晔;黄昊丹设计研发完成，并于2026-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种反极性保护电路、开关模块及其应用电路在说明书摘要公布了：本发明涉及电路设计技术领域，尤其涉及一种反极性保护电路、开关模块及其应用电路。其中，反极性保护电路包括：第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第五电阻R5、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2。本发明在反极性事件发生时主动开启功率管，形成低阻通路，以取代体二极管导通，从而大幅降低功耗，电路在所有工作状态下正常开关、感性负载、反极性，各MOS管的栅‑源、漏‑源电压均处于安全范围内，无超耐压风险，可适用于标准工艺，降低制造成本与设计复杂度。

本发明授权一种反极性保护电路、开关模块及其应用电路在权利要求书中公布了：1.一种反极性保护电路，其特征在于，包括：第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第五电阻R5、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2； 所述第一NMOS管MN1的漏极连接内部供电电压VCC、栅极连接内部地GND_INT、源极连接第二NMOS管MN2的源极，所述第二NMOS管MN2的栅极连接内部地GND_INT、漏极连接第二电阻R2的一端与第四二极管D4的负极，第四二极管D4的正极连接内部地GND_INT，第二电阻R2的另一端连接第一PMOS管MP1的栅极、第二PMOS管MP2的栅极和第一电阻R1的一端，所述第一PMOS管MP1的源极、第二PMOS管MP2的源极和第一电阻R1的另一端连接输入控制信号，所述第一PMOS管MP1的漏极连接第三NMOS管MN3的源极、第三电阻R3的一端和第五NMOS管MN5的栅极，所述第二PMOS管MP2的漏极连接第一二极管D1的正极，所述第一二极管D1的负极连接第五NMOS管MN5的源极，所述第三NMOS管MN3的栅极连接电平信号，所述第三NMOS管MN3的漏极连接第二二极管D2的正极、第二二极管D2的负极连接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接输出端口OUTPUT，所述第三电阻R3的另一端连接第四NMOS管MN4的源极，所述第四NMOS管MN4的栅极连接工作电压VINT0，所述第四NMOS管MN4的漏极连接内部地GND_INT，所述第五NMOS管MN5的漏极连接第三二极管D3的正极，所述第三二极管D3的负极连接主功率管。

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