成都信息工程大学李东芳获国家专利权
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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利一种基于硅通孔的三维电磁带隙结构及阵列系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121726706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610203224.5，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权一种基于硅通孔的三维电磁带隙结构及阵列系统是由李东芳;王耀;何慧鸿;马文英;姜丹丹;叶松;迭东设计研发完成，并于2026-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硅通孔的三维电磁带隙结构及阵列系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体结构技术领域，尤其涉及一种基于硅通孔的三维电磁带隙结构及阵列系统，结构包括介质基板、上下表面金属层及通孔阵列；金属层设有用于产生平面分布电容的中心叉指电极和用于实现电磁耦合的边缘梳状电极，通孔连接上下叉指电极构成三维谐振回路；阵列系统通过相邻单元边缘梳状电极的非接触式交错咬合，在交错区域形成分布式场交互并激发耦合谐振模态；通过本征模态与耦合模态在频域上的叠加，形成了连续的宽频带噪声抑制阻带，显著提升了三维集成电路的电磁兼容性。
本发明授权一种基于硅通孔的三维电磁带隙结构及阵列系统在权利要求书中公布了：1.一种基于硅通孔的三维电磁带隙结构，其特征在于，所述三维电磁带隙结构包括：介质基板、分别设置于所述介质基板上下表面的第一金属层以及第二金属层、以及贯穿所述介质基板且用于连接所述第一金属层和第二金属层的通孔阵列； 其中，所述第一金属层与第二金属层均包括中心谐振区和围绕所述中心谐振区的边缘耦合区，所述中心谐振区设置有叉指电极结构，所述叉指电极结构用于产生平面分布电容，所述边缘耦合区设置有梳状电极结构，所述梳状电极结构用于实现电磁耦合，所述通孔阵列的一端连接所述第一金属层的叉指电极结构，另一端连接所述第二金属层的叉指电极结构，以形成三维谐振回路； 所述梳状电极结构包括从所述中心谐振区向外延伸的若干金属齿；所述金属齿沿所述三维电磁带隙结构的外轮廓周期性排列，所述介质基板的材料包括硅。
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