合肥晶合集成电路股份有限公司祝君龙获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121752034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610243328.9，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由祝君龙;刘哲儒设计研发完成，并于2026-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：多个并列设置的半导体器件，每个所述半导体器件包括设置在衬底内的至少一个第一阱区和设置在所述衬底上的金属互连结构，所述金属互连结构设置在介质层内；第二阱区，设置在相邻所述半导体器件的所述第一阱区之间的所述衬底内；绝缘层，设置在相邻所述半导体器件之间的所述介质层上，并向两侧延伸至部分所述金属互连结构上；钝化层，设置在所述绝缘层上；第一凹槽，设置在所述金属互连结构的表面，暴露部分所述金属互连结构；第二凹槽，环绕所述第一凹槽设置在所述金属互连结构上，且暴露部分所述绝缘层。本发明提供的半导体结构及其制备方法，能够减小环境湿度对结漏电流量测的影响。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括： 多个并列设置的半导体器件，每个所述半导体器件至少包括设置在衬底内的至少一个第一阱区和设置在所述衬底上的金属互连结构，所述金属互连结构设置在介质层内； 第二阱区，设置在相邻所述半导体器件的所述第一阱区之间的所述衬底内； 绝缘层，设置在相邻所述半导体器件之间的所述介质层上，并向两侧延伸至部分所述金属互连结构上； 钝化层，设置在所述绝缘层上； 第一凹槽，设置在所述金属互连结构的表面，并暴露部分所述金属互连结构；以及 第二凹槽，环绕所述第一凹槽设置在所述金属互连结构上，且暴露部分所述绝缘层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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