能创半导体股份有限公司魏鼎宇获国家专利权
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龙图腾网获悉能创半导体股份有限公司申请的专利电源供应装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224204986U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520852335.X，技术领域涉及：H02M1/32；该实用新型电源供应装置是由魏鼎宇;黄宗伟设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本电源供应装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种电源供应装置，包含功率开关、控制电路及温度感测电路。功率开关根据控制信号将输入电压信号转换为输出电压信号；控制电路产生控制信号驱动功率开关，并依过温保护信号调整控制信号以调节功率开关温度；温度感测电路包括参考电压产生电路、金属氧化物半导体晶体管及比较电路，参考电压产生电路根据第一参考电压与输入电压信号产生一参考电压信号，金属氧化物半导体晶体管设于功率开关上，汲极连接输入电压信号，闸极连接第二参考电压，源极产生感测电压信号，比较电路比较感测电压信号与参考电压信号以生成过温保护信号。
本实用新型电源供应装置在权利要求书中公布了：1.一种电源供应装置，用来接收一输入电压信号并产生一输出电压信号，其特征在于，包括： 一功率开关，用来根据一控制信号，将该输入电压信号转换为该输出电压信号； 一控制电路，用来产生该控制信号，以驱动该功率开关，并根据一第一过温保护信号调整该控制信号，以调节该功率开关的运作温度；以及 一温度感测电路，包含： 一参考电压产生电路，用来根据一第一参考电压与该输入电压信号产生一参考电压信号； 一第一金属氧化物半导体晶体管，设置于该功率开关上，其中该第一金属氧化物半导体晶体管包含一漏极电性连接于该输入电压信号，一闸极电性连接于一第二参考电压，及一源极产生一第一感测电压信号；以及 一第一比较电路，电性连接于该第一金属氧化物半导体晶体管的该源极以接收该第一感测电压信号，以及电性连接于该参考电压产生电路及该控制电路，用来比较该第一感测电压信号与该参考电压信号，以产生该第一过温保护信号，且将该第一过温保护信号输出至该控制电路。
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