晶元光电股份有限公司王心盈获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利发光二极管元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010756082.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权发光二极管元件及其制造方法是由王心盈;叶宗勋;林昱伶;胡柏均设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光二极管元件及其制造方法，其中该发光二极管元件包含：一半导体叠层；一第一电流阻挡图块以及一第二电流阻挡图块，形成于半导体叠层上且彼此分离；以及多个电极，形成于半导体叠层上且电连接半导体叠层；其中，多个电极其中之一位于第一电流阻挡图块上；以及第二电流阻挡图块不与多个电极重叠。
本发明授权发光二极管元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管元件，其特征在于，包含： 基底，包含第一边缘、相对于该第一边缘的第二边缘； 半导体叠层，形成于该基底上，其中，该半导体叠层包含多个发光二极管单元，该多个发光二极管单元包含第一发光二极管单元及第二发光二极管单元； 沟槽，形成于该第一发光二极管单元及该第二发光二极管单元之间，其中，该沟槽暴露该基底； 第一电流阻挡图块以及第二电流阻挡图块，形成于该沟槽上，于该发光二极管元件的上视图上，该第一电流阻挡图块以及该第二电流阻挡图块彼此分离； 连接电极，形成于该第一发光二极管单元及该第二发光二极管单元上且电连接该第一发光二极管单元及该第二发光二极管单元； 第一电极，位于该第一发光二极管单元上； 第二电极，位于该第二发光二极管单元上； 第一焊垫，连接第一电极；以及 第二焊垫，连接第二电极； 其中，于该发光二极管元件的该上视图上，该第一电流阻挡图块与该连接电极重叠。
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