富士胶片电子材料美国有限公司梁燕南获国家专利权
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龙图腾网获悉富士胶片电子材料美国有限公司申请的专利化学机械抛光组合物及其使用方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114644890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111562413.5,技术领域涉及:C09G1/02;该发明授权化学机械抛光组合物及其使用方法是由梁燕南;胡斌;黄廷凯;张书维;温立清设计研发完成,并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本化学机械抛光组合物及其使用方法在说明书摘要公布了:本发明涉及化学机械抛光组合物及其使用方法。本发明涉及一种抛光组合物,包含:至少一种磨料、至少一种有机酸、至少一种含有至少磷酸盐酯的阴离子表面活性剂、至少一种分子量低于500gmol的膦酸化合物、至少一种含唑化合物、至少一种具有6至24碳烷基链的烷基胺化合物、和水性溶剂,以及任选地,pH调节剂。
本发明授权化学机械抛光组合物及其使用方法在权利要求书中公布了:1.一种抛光组合物,包含: 至少一种磨料; 至少一种有机酸; 至少一种含有至少磷酸盐酯的阴离子表面活性剂; 至少一种分子量低于500gmol的膦酸化合物,其中所述至少一种膦酸化合物选自苯基膦酸、丁基膦酸、己基膦酸、辛基膦酸、苄基膦酸、苯基乙基膦酸、苯基丙基膦酸、苯基丁基膦酸、及其混合物; 至少一种含唑化合物; 至少一种具有6至24碳烷基链的烷基胺化合物;和 水性溶剂; 任选地,pH调节剂, 其中所述膦酸化合物与所述阴离子表面活性剂之间的重量百分比为5:1至100:1, 其中由所述组合物提供的钴去除速率为50埃分钟至500埃分钟, 其中由所述组合物提供的对钴的静态蚀刻速率SER为0Å分钟至10Å分钟,以及 其中所述至少一种含唑化合物选自苯并三唑、腺嘌呤、苯并咪唑、噻苯哒唑、甲苯基三唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1-羟基苯并三唑、2-甲基苯并噻唑、2-氨基苯并咪唑、2-氨基-5-乙基-1,3,4-噻二唑、3,5-二氨基-1,2,4-三唑、3-氨基-5-甲基吡唑、4-氨基-4H-1,2,4-三唑、5-甲基苯并三唑、5-氯苯并三唑、5-氟苯并三唑、5-溴苯并三唑、5-碘苯并三唑、5-氨基四唑、5-乙基苯并三唑、5-丁基苯并三唑、二甲基苯并三唑、二氯苯并三唑、氯甲基苯并三唑、苯基苯并三唑、苄基苯并三唑、硝基苯并三唑、咪唑、及其组合。
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