福建省晋华集成电路有限公司罗启仁获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、晶体管器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114758985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210494017.1，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构及其制备方法、晶体管器件的制备方法是由罗启仁;童宇诚设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、晶体管器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、晶体管器件的制备方法。通过在开窗内形成拉应力材料层，以在该拉应力材料层的作用下使得金属层中的金属在衬底内的扩散趋势更大限度的被限制在开窗的正下方，降低金属横向扩散的范围，进而避免金属扩散至周边组件。例如，在晶体管器件的制备过程中，即可避免源漏区内的金属硅化物层中的金属横向扩散至栅极结构的问题，有利于提高所形成的半导体结构的器件性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法、晶体管器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，并形成介质层在所述衬底上，所述介质层中形成有开窗，所述开窗暴露出所述衬底； 形成金属层，所述金属层至少覆盖暴露于所述开窗内的衬底； 填充拉应力材料层在所述开窗内；以及， 执行退火工艺，以使金属层中的金属和衬底中的硅反应而形成金属硅化物层在所述衬底中，所述金属硅化物层的侧边界未超出所述开窗的侧边界。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励