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龙图腾网获悉株式会社日立功率半导体申请的专利半导体装置以及电力转换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117529819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280041206.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置以及电力转换装置是由清水悠佳;须藤建瑠;毛利友纪设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及电力转换装置在说明书摘要公布了：提高半导体装置的性能。作为其方案，形成一种半导体装置，具有：半导体基板，其具有第一导电型的漂移层、第二导电型的主体区域、以及在漂移层上两侧面与主体区域接触的第一导电型的JFET区域；多个沟槽，其形成于半导体基板的上表面并沿第一方向延伸；以及栅极电极，其隔着绝缘膜形成于沟槽内和半导体基板的上表面上。在单位单元内，由在与第一方向交叉的第二方向上排列多个的沟槽构成的第一沟槽组和由在第二方向上排列多个的沟槽构成的第二沟槽组在第一方向上排列，在第二方向上相邻的沟槽间的源极区域的下表面具有比沟槽浅的通道区域，栅极电极具备多个沟槽内的第一部分以及位于半导体基板上且将在第一方向以及第二方向上排列的第一部分彼此连接的第二部分，每单位单元具有多个JFET区域。

本发明授权半导体装置以及电力转换装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 具有： 半导体基板，其具有第一导电型的漂移层； 多个沟槽，其形成于所述半导体基板的上表面，在沿着所述半导体基板的所述上表面的第一方向上延伸； 与所述第一导电型不同的第二导电型的主体区域，其形成于所述沟槽的短边方向的侧面； 所述第一导电型的源极区域，其形成于所述半导体基板的所述上表面且形成于所述主体区域内； 所述第一导电型的JFET区域，其形成在所述漂移层的上表面上，两侧的侧面与所述主体区域接触； 所述第一导电型的漏极区域，其形成于所述半导体基板的下表面且与所述漂移层电连接；以及 栅极电极，其隔着绝缘膜形成在所述沟槽内以及所述半导体基板的所述上表面上， 在单位单元内，多个所述沟槽的一部分在俯视时在与所述第一方向交叉的第二方向上排列多个而构成第一沟槽组，多个所述沟槽的另一部分在所述第二方向上排列多个而构成第二沟槽组， 构成所述第一沟槽组的所述沟槽和构成所述第二沟槽组的所述沟槽在所述第一方向上排列配置， 所述源极区域也形成于在所述第二方向上相邻的所述沟槽彼此之间， 在形成于在所述第二方向上相邻的所述沟槽彼此之间的所述源极区域的下表面具有以比所述沟槽的深度浅的深度形成的通道区域， 所述栅极电极具备：第一部分，其分别埋入多个所述沟槽；以及第二部分，其位于所述半导体基板的所述上表面上，将在所述第一方向上排列的所述第一部分彼此连接，并且将在所述第二方向上排列的所述第一部分彼此连接， 每单位单元具备多个所述JFET区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社日立功率半导体，其通讯地址为：日本茨城县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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