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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所龚毅获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117767109B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311807746.9,技术领域涉及:H01S5/042;该发明授权倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器是由龚毅;朱建军;杨文献;陆书龙;华浩文;张鹏;顾颖;黄梦洋设计研发完成,并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器,制作方法包括:提供衬底,在衬底表面形成掩膜层;刻蚀掩膜层以在掩膜层上制备条形窗口;在条形窗口内依次生长n型覆盖层以及n型限制层,以形成n型脊型波导;在n型限制层表面生长外延结构;在外延结构上形成电流扩展层,并在电流扩展层表面形成p型电极;去除衬底,并在n型覆盖层表面形成n型电极。本发明的一种倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器,无需刻蚀n型区即可完成对n型区的脊型波导的制备,提高激光器的发光性能的同时,还大大简化了半导激光器的倒装工艺,增大了p型接触层的欧姆接触面积,有利于整体器件的散热。

本发明授权倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器在权利要求书中公布了:1.一种倒装脊型波导半导体激光器的制作方法,其特征在于,包括: 提供衬底,在所述衬底表面形成掩膜层; 刻蚀所述掩膜层以在所述掩膜层上制备条形窗口; 在所述条形窗口内依次生长n型覆盖层以及n型限制层,以形成n型脊型波导; 在所述n型限制层表面生长外延结构; 在所述外延结构上形成电流扩展层,并在所述电流扩展层表面形成p型电极; 去除所述衬底,并在所述n型覆盖层表面形成n型电极,获得半导体激光器外延片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,其通讯地址为:215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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