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龙图腾网获悉电子科技大学;江西尚朋电子科技有限公司申请的专利一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117966135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410220438.4，技术领域涉及：C23C18/12；该发明授权一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法是由余忠;陈婧莎;王宏;李启帆;窦海之;邬传健;孙科;蒋晓娜;兰中文设计研发完成，并于2024-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种222取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法，属于薄膜制备技术领域。本发明基于氧化还原反应原理，利用旋转喷涂设备将氧化液和还原液按一定比例通过超声雾化系统均匀地附着于玻璃衬底上，在完成一系列化学反应后形成连续且致密的铁氧体薄膜，通过改变还原液中氯化亚铁的浓度，控制不同晶面的沉积速率，进而调控NiZn铁氧体薄膜的生长取向。经过以上工艺低温沉积制备出的NiZn铁氧体薄膜能够实现与半导体工艺的兼容，同时取向由NiZn铁氧体的311取向逐渐沿222择优取向生长，显微结构逐渐形成明显的三角形晶粒，从而使得薄膜生长更加均匀，薄膜质量得到显著提高。

本发明授权一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法在权利要求书中公布了：1.一种222取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、反应台清洗： 使用砂纸打磨反应台至表面光滑后，采用无水乙醇、丙酮清洗，自然晾干； 步骤2、配制溶液： 2.1将缓冲剂乙酸盐和氧化剂可溶性亚硝酸盐加入去离子水中，混合均匀后得到氧化剂溶液，其中乙酸盐的摩尔浓度为20~30mmolL，亚硝酸盐的摩尔浓度为2~4mmolL； 2.2将氯化亚铁、氯化锌和氯化镍加入去离子水中，混合均匀后得到还原剂溶液，其中氯化亚铁的摩尔浓度为9~12mmolL，氯化锌的摩尔浓度为0.5~2mmolL，氯化镍的摩尔浓度为1~2mmolL； 步骤3、薄膜的制备： 将玻璃基板放置于步骤1清洗后的反应台中央，在基板温度为85~95℃、氧化剂溶液的供应速率为15~20mLmin、还原剂溶液的供应速率为15~20mLmin、雾化功率为0.1~0.5W、工作气压为0.02~0.05MPa、反应台转速为120~140rmin的条件下，采用旋转喷涂法沉积薄膜，沉积时间为20~40min，沉积完成后，得到所述NiZn铁氧体薄膜； 通过改变还原液中氯化亚铁的浓度，控制不同晶面的沉积速率，进而调控NiZn铁氧体薄膜的生长取向。

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