中国科学院大学丁博文获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大学申请的专利用于氧化钼复合物硅异质结太阳能电池的降低热扩散开压损失的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410815937.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权用于氧化钼复合物硅异质结太阳能电池的降低热扩散开压损失的工艺是由丁博文;周玉荣;刘丰珍设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于氧化钼复合物硅异质结太阳能电池的降低热扩散开压损失的工艺在说明书摘要公布了：氧化钼MoOX复合物硅异质结电池，选用宽带隙高功函数的过渡金属氧化物氧化钼做空穴选择层，降低了入光面的吸收，更高的空穴载流子导出能力，以及避免了传统异质结电池选择层因为掺杂带来的寄生吸收，但是氧化钼的热稳性差，超过130℃就会发生氧向硅的扩散，是实现MoOX复合物硅异质结太阳能电池应用于丝网印刷工艺获得更大的入光面积从而获得更高的短路电流的主要障碍。因此我们在a‑Si:HiMoOX之间插入一层ZnO，丝网印刷后退火，ZnO阻止了MoOX与钝化层氧元素的互扩散影响，抑制了开压损失。
本发明授权用于氧化钼复合物硅异质结太阳能电池的降低热扩散开压损失的工艺在权利要求书中公布了：1.一种应用丝网印刷MoOx复合物硅基异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1采用等离子体增强化学气相沉积PECVD方法,以SiH4、H2为反应气体,在n型晶硅衬底的一面沉积制备3-5nm本征非晶硅薄膜,然后以SiH4、H2、PH3以及CO2为反应气体,在本征非晶硅薄膜上沉积15-20nm的n型微晶硅氧薄膜，即背面，n面； 2采用PECVD方法,以SiH4、H2为反应气体,在晶硅衬底另一面沉积制备3-5nm本征非晶硅薄膜,再磁控溅射2-3nmZnO薄膜； 3采用热丝氧化升华法HWOSD，在ZnO上沉积9nmMoOx薄膜； 4在步骤23基础上，在两面分别采用反应等离子RPD制备氢掺杂的ITO薄膜； 5在步骤4完成后，在n面蒸镀银； 6采用丝网印刷,在MoOx面的ITO薄膜上丝网印刷银栅线并固化,完成电池制备。
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