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龙图腾网获悉扬州大学申请的专利一种SiC功率器件在轨单粒子硬错误风险概率预估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119720516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411769536.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种SiC功率器件在轨单粒子硬错误风险概率预估方法是由薛玉雄;吴迪;许灏炀;曹荣幸;于庆奎;梅博;孙毅设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC功率器件在轨单粒子硬错误风险概率预估方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC功率器件在轨单粒子硬错误风险概率预估方法，涉及功率器件空间应用的抗辐射保证技术领域，本发明基于地面辐射试验和威布尔数据统计规律，结合仿真软件模拟空间辐射环境，能低成本预估SiC器件空间在轨应用时发生单粒子硬错误的概率，同时实现难度较低，减少航天器在轨任务的成本，增强在轨期间的可靠性，保证在轨飞行的安全性，属于功率器件空间应用的抗辐射保证技术领域，具有很高的经济价值，对促进新型航天电源发展具有重要意义。

本发明授权一种SiC功率器件在轨单粒子硬错误风险概率预估方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC功率器件在轨单粒子硬错误风险概率预估方法，其特征在于，包括： 步骤一、对SiC功率器件进行单粒子硬错误辐照测试，在辐照过程中实时监测漏极或栅极电流与注量的关系，获取条漏极或栅极电流与注量关系的曲线数据； 步骤二、从曲线数据中筛选出SiC功率器件发生单粒子烧毁和单粒子栅穿现象时的单粒子效应失效注量数据； 步骤三、对单粒子效应失效注量数据进行威布尔数据统计,得到SiC功率器件的单粒子失效注量威布尔统计分布图，并根据单粒子失效注量威布尔统计分布图进行线性拟合，利用拟合斜率和截距获得威布尔形状参数和尺度参数； 步骤四、基于威布尔形状参数和尺度参数，获得单个线性能量传输LET下的平均失效注量数据； 步骤五、对单个LET下的平均失效注量数据取倒数得到失效截面； 重复对其他相同型号的SiC功率器件进行单粒子硬错误辐照测试，直到得到不同LET下的失效截面，，为LET的个数，一次单粒子硬错误辐照测试对应一个LET，为第个LET下的失效截面，；并对失效截面进行拟合，得到失效截面函数； 步骤六、对失效截面函数乘以处理，得到不同入射角度下的失效截面函数，为粒子入射路径与粒子垂直于SiC功率器件入射路径夹角，根据对失效截面公式进行全空间积分，得到平均失效截面； 步骤七、利用空间辐射环境软件，输入航天器所在轨道数据，添加环境模型，环境模型包括太阳粒子、地磁捕获粒子和银河宇宙射线粒子，获取航天器舱内空间辐射环境微分通量能谱数据； 步骤八、根据平均失效截面和，计算在轨单粒子硬错误发生率。

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