普冉半导体(上海)股份有限公司冯国友获国家专利权
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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利存储器操作方法及存储芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119763632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411832066.7，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权存储器操作方法及存储芯片是由冯国友设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器操作方法及存储芯片在说明书摘要公布了：本发明提供的存储器操作方法及存储芯片，方法包括：获得操作深度；其中，操作深度是在晶圆测试中确定的并存储在存储单元中；操作深度表征执行操作后存储单元的阈值电压变化水平；当执行操作时，使用操作深度进行深度校验，直到达到操作深度。本发明可以先精准测试出存储芯片的操作深度，进而利用该操作深度指导实际的操作，实现精准控制操作效果的目的，能够避免存储单元阈值电压变得复杂不可控的问题。
本发明授权存储器操作方法及存储芯片在权利要求书中公布了：1.一种存储器操作方法，其特征在于，应用于存储芯片，所述存储芯片包括多个存储单元，所述方法包括： 获得操作深度，包括：执行连续的一种操作过程，执行完毕后确认是否达到设定的参考深度值；若否，则调整所述参考深度值后，重复所述连续的一种操作过程，否则停止测试，将当前的参考深度值作为所述操作过程对应的操作深度并写入存储芯片内；其中，所述操作深度是在晶圆测试中确定的并存储在所述存储单元中；所述操作深度表征执行操作后存储单元的阈值电压变化水平； 当执行操作时，使用所述操作深度进行深度校验，直到达到所述操作深度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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