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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利一种电压保持电路与片上系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411924375.7，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权一种电压保持电路与片上系统是由朱泽宇设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电压保持电路与片上系统在说明书摘要公布了：本发明提出一种电压保持电路与片上系统，电压保持电路包括电荷泵、触发单元、第一开关单元以及电压保持单元；触发单元分别与电荷泵、第一开关单元的控制端连接；第一开关单元的第一端连接于电荷泵的输出端，第一开关单元的第二端连接于电压保持单元；电压保持单元还用于连接存储器的DNW阵列。通过控制电荷泵工作或休息，使电压保持单元的输入端电压处于第一目标电压区间内，从而使DNW阵列的寄生电容的电压保持第二目标电压区间内。在需要进行存储器的读写操作时，电子设备的电源电压可以快速地将存储器提升至工作电压，从而快速响应存储器的读写操作，保障在待机模式下的低功耗。

本发明授权一种电压保持电路与片上系统在权利要求书中公布了：1.一种电压保持电路，其特征在于，所述电压保持电路包括电荷泵、触发单元、第一开关单元以及电压保持单元； 所述触发单元分别与所述电荷泵、所述第一开关单元的控制端连接； 所述第一开关单元的第一端连接于所述电荷泵的输出端，所述第一开关单元的第二端连接于所述电压保持单元； 所述电压保持单元还用于连接存储器的DNW阵列； 所述电压保持单元包括第一电容和NMOS管； 在所述第一电容的一极与所述NMOS管的栅极的连接处，引出接线端子，作为所述电压保持单元的输入端，用于连接所述第一开关单元的第二端； 所述第一电容的另一极接地，所述NMOS管的漏极连接于所述电荷泵的输出端，所述NMOS管的源极连接于所述DNW阵列； 所述电压保持电路还包括第一电阻、第二电阻以及第二开关单元； 所述第一电阻的一端连接于所述第一开关单元的第二端，所述第一电阻的另一端连接于所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地； 所述第二开关单元的一端连接于所述第一电阻和所述第二电阻之间引出接线端子，所述第二开关单元的另一端连接于所述电压保持单元的输入端； 所述触发单元与所述第二开关单元的控制端连接，所述触发单元用于控制所述第二开关单元与所述第一开关单元的状态保持一致。

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