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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种钨通孔的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120015696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510196906.3，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种钨通孔的制造方法是由刘博;王兆祥;彭国发;方文强;黄海栋;许铁全设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钨通孔的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种钨通孔的制造方法，制造方法包括：提供一包括由真空传送通道连通的第一腔体与第二腔体的设备，且真空传送通道中设有冷却装置，将一表面开设有通孔的基底置于第一腔体中，向第一腔体内通入第一气体以沉积钨膜层，得到一包括基底和钨膜层的中间结构，且钨膜层覆盖基底表面并填充进通孔，将第一腔体、真空传送通道以及第二腔体抽至相同预设真空度，通过真空传送通道将中间结构传送至第二腔体内，向第二腔体内通入第二气体以刻蚀去除通孔外的钨膜层，形成钨通孔，进行破真空并从设备中取出形成有钨通孔的基底。本发明的钨通孔的制造方法可以有效提高钨刻蚀的效率，降低产生缺陷的风险，提升芯片的良品率。

本发明授权一种钨通孔的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种钨通孔的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一设备，所述设备包括通过真空传送通道连通的第一腔体与第二腔体，所述第一腔体与所述真空传送通道之间设置有第一隔绝门，所述第二腔体与所述真空传送通道之间设置有第二隔绝门，所述真空传送通道内部设有冷却装置，所述冷却装置使用气体作为冷却介质并与所述真空传送通道的真空泵协同工作； 提供一表面开设有通孔的基底，将所述基底置于所述第一腔体中； 向所述第一腔体内通入第一气体以沉积钨膜层，得到一包括所述基底及所述钨膜层的中间结构，所述钨膜层覆盖所述基底表面并填充进所述通孔； 进行抽真空，以使所述第一腔体、所述真空传送通道以及所述第二腔体达到相同的真空度； 按照预设顺序打开所述第一隔绝门、所述冷却装置及所述第二隔绝门，通过所述真空传送通道在预定的冷却时间内将所述中间结构传送至所述第二腔体内； 关闭所述第二隔绝门，向所述第二腔体内通入第二气体以刻蚀去除所述通孔外的所述钨膜层，所述通孔中的所述钨膜层至少保留一部分以形成钨通孔； 进行破真空并从所述设备中取出形成有所述钨通孔的所述基底。

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