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龙图腾网获悉QORVO美国公司申请的专利RF半导体装置和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113632209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980094528.0，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权RF半导体装置和其制造方法是由朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔设计研发完成，并于2019-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本RF半导体装置和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种射频RF装置，所述装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域和第一模制化合物，所述装置区域具有后段制程BEOL部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程FEOL部分。所述FEOL部分包含有源层、接触层以及隔离区段。在本文中，有源层和隔离区段位于接触层之上，并且有源层被隔离区段围绕。第一模制化合物位于有源层之上，而在所述第一模制化合物与所述有源层之间没有不具有锗含量的硅晶体。多层重新分布结构包含重新分布互连件和多个凸点结构，所述多个凸点结构位于所述多层重新分布结构的底部处并且通过所述重新分布互连件电耦接到所述模制装置管芯。

本发明授权RF半导体装置和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种射频设备，其包括： 模制装置管芯，所述模制装置管芯包括装置区域、额外的层和第一模制化合物，其中： 所述装置区域包含前段制程部分和后段制程部分，所述后段制程部分位于所述前段制程部分之下并且包括连接层； 所述前段制程部分包括有源层、接触层和由二氧化硅形成的隔离区段，其中所述有源层和所述隔离区段位于所述接触层之上，所述隔离区段围绕所述有源层，所述隔离区段不位于所述有源层之上，并且所述隔离区段竖直延伸超过所述有源层的顶表面以在所述隔离区段内和所述有源层之上限定开口； 所述额外的层与所述前段制程部分的有源层的顶表面接触并位于所述开口内，其中所述额外的层由硅锗或氮化硅形成；并且 所述第一模制化合物直接位于所述额外的层之上以填充所述开口，其中在所述第一模制化合物与所述有源层之间不存在不具有锗含量的硅晶体；以及 多层重新分布结构，所述多层重新分布结构形成于所述模制装置管芯的所述后段制程部分之下，其中所述多层重新分布结构包括所述多层重新分布结构的底表面上的多个凸点结构和所述多层重新分布结构内的重新分布互连件，其中所述多个凸点结构通过所述重新分布互连件和所述后段制程部分内的所述连接层电耦接到所述模制装置管芯的所述前段制程部分。

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