美光科技公司S·E·西里斯获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110724573.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成是由S·E·西里斯;J·A·斯迈思三世;李时雨;G·S·桑胡;A·赛伊迪·瓦赫达设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成在说明书摘要公布了：本申请涉及竖直三维3D存储器的三节点存取装置中的源极漏极集成。实例方法包含用于形成竖直堆叠的存储器单元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含以重复迭代沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。使用蚀刻过程来形成第一竖直开口，从而暴露所述竖直堆叠中邻近所述牺牲材料的第一区的竖直侧壁。所述第一区经选择性蚀刻以形成去除所述牺牲材料且与所述第一竖直开口相隔第一水平距离的第一水平开口。在所述第一水平开口中沉积多层第一源极漏极材料、沟道材料和第二源极漏极材料以形成所述竖直堆叠的存储器单元的阵列当中的存储器单元的三节点存取装置。
本发明授权竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成在权利要求书中公布了：1.一种用于形成竖直堆叠的存储器单元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线，其包括： 以重复迭代沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠； 使用第一蚀刻过程形成第一竖直开口，从而暴露所述竖直堆叠中邻近所述牺牲材料的第一部分的竖直侧壁； 选择性地蚀刻所述牺牲材料的第一部分以形成第一水平开口，所述第一水平开口在第一区中去除所述牺牲材料并与所述第一竖直开口相隔第一水平距离，以形成通过沟道区水平地分隔开的第一源极漏极区和第二源极漏极区；以及 在所述第一水平开口中沉积多层第一源极漏极材料、沟道材料和第二源极漏极材料，以形成竖直堆叠的存储器单元的所述阵列当中的存储器单元的三节点存取装置。
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