长鑫存储技术有限公司穆克军获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210049663.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及其形成方法是由穆克军设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括：衬底；栅极，所述栅极位于所述衬底上；源漏掺杂区，所述源漏掺杂区分别位于所述栅极两侧的所述衬底上；接触插塞，所述接触插塞设置于所述衬底上，所述接触插塞的底部与所述源漏掺杂区电连接；隔离层，所述隔离层设置于所述源漏掺杂区内，所述隔离层位于所述接触插塞的下方，所述隔离层的上表面高于所述源漏掺杂区的下表面，所述隔离层的材料包括绝缘材料。通过在接触插塞与源漏掺杂区下表面之间引入一层绝缘层，隔断源漏掺杂区与衬底之间的接合界面处产生的耗尽层，增大了耗尽层与接触插塞之间的距离，从而能够减小接合界面漏电，同时不影响器件的电流导通路径。
本发明授权一种半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 栅极，所述栅极位于所述衬底上； 源漏掺杂区，所述源漏掺杂区分别位于所述栅极两侧的所述衬底上； 接触插塞，所述接触插塞设置于所述衬底上，所述接触插塞的底部与所述源漏掺杂区电连接； 隔离层，所述隔离层设置于所述源漏掺杂区内，所述隔离层位于所述接触插塞的下方，所述隔离层的上表面高于所述源漏掺杂区的下表面，所述隔离层的材料包括绝缘材料； 其中，所述源漏掺杂区包括第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区，其中，所述第二源漏掺杂区位于所述第一源漏掺杂区的上方，且所述隔离层的上表面低于或齐平于所述第二源漏掺杂区的下表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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