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龙图腾网获悉西安博瑞集信电子科技有限公司申请的专利一种GaNHemt射频开关控制电路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210053252.5，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种GaNHemt射频开关控制电路及控制方法是由李永强;谭佳青设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaNHemt射频开关控制电路及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaNHemt射频开关控制电路及控制方法，包括接地电容C1、C2、C3，下拉电阻R2、R3，延时电阻R1，分压电阻R4、R5、R6、R7、R8、R9，六个MOS管，通过MOS管作为开关器件，可以实现TTL控制高负压，负压电压可达‑60V左右，能够为当前的GaN器件提供更快的电压控制方案，摆脱了传统控制的时序即时间响应问题，通过单逻辑控制GaN射频开关，节省逻辑空间；硬件延时电阻来避免控制时序不确定带来的抖动问题，可以解决GaNHemt管在应用中出现的栅极漏电导致无法控制的问题。

本发明授权一种GaNHemt射频开关控制电路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHemt射频开关控制电路，其特征在于，包括接地电容C1、C2、C3，下拉电阻R2、R3，延时电阻R1，分压电阻R4、R5、R6、R7、R8、R9，MOS管； 所述MOS管包括：增强型PMOS管D1、D2、D3、D4，增强型NMOS管D5、D6；其中， D1的源级通过R1和D2的栅极连接；D1的漏级与D3的源级相连，R3位于D1的漏级和D3的源级之间并接地，D1的源极连接控制端；D2的漏级与D4的源级相连，R2位于D2的漏级与D4的源级之间并接地，D2的源极通过C1接地，D2的源极连接常供电；R4位于D3的漏级和D5的栅极之间，R6位于D5的源级与栅极之间，D3的栅极接地；R5位于D4的漏级和D6的栅极之间，R7位于D6的源级和栅极之间，D4的栅极接地；D5的源级通过R8和C2接地，R8与C2的连接节点连接至负压电压源；D6的源级通过R9和C3接地，R9与C3的连接节点连接至负压电压源，D1的栅极、D5的漏级和D6的栅级都接地；所述控制电路用普通的TTL电平来控制高负压，在被所述控制端存在漏电的状态下将电位拉到0V，所述控制端接收的控制电平V_CON与常供电Vd电平的电位一致； 所述控制电路的输出节点和GaNHemt器件内部的栅级相接，所述控制电路的输出节点连接至D5的源极与D6的源极。

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