格芯(美国)集成电路科技有限公司A·F·卢瓦索获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利控制电阻-电容电路中静电放电(ESD)事件的结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114499430B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111253299.8，技术领域涉及：H03H1/02；该发明授权控制电阻-电容电路中静电放电(ESD)事件的结构和方法是由A·F·卢瓦索;R·J·小戈捷;S·米特拉;李由;M·苗;梁巍设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本控制电阻-电容电路中静电放电(ESD)事件的结构和方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了一种控制电阻‑电容RC电路中的静电放电ESD事件的电路结构和方法。根据本公开的电路结构可以包括与RC电路并联耦接的触发晶体管，以及耦接到RC电路的一部分的栅极端子。与RC电路并联耦接的镜像晶体管传输小于通过触发晶体管的电流的电流。骤回器件具有耦接到镜像晶体管的源极或漏极的栅极端子，以及与RC电路并联耦接的阳极阴极端子对。从镜像晶体管中的电流导出的骤回器件的栅极端子处的电流控制骤回器件中的阳极阴极电流流动。
本发明授权控制电阻-电容电路中静电放电(ESD)事件的结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种电路结构，包括： 电阻-电容RC电路，其具有第一节点、通过电阻元件和电容元件而与所述第一节点分隔开的第二节点，以及位于所述电阻元件和所述电容元件之间的第三节点； 触发晶体管，其具有耦接在所述第一节点和所述第二节点之间并与所述RC电路并联的源极漏极SD端子对，以及耦接到所述RC电路的所述第三节点的栅极端子； 镜像晶体管，其具有耦接在所述第一节点和所述第二节点之间并与所述RC电路并联的SD端子对，以及耦接到所述触发晶体管的所述栅极端子的栅极端子，其中所述镜像晶体管的所述SD端子对被配置为传输小于通过所述触发晶体管的所述SD端子对的电流的电流；以及 骤回器件，其具有耦接到所述镜像晶体管的所述SD端子对中的选定一个端子的栅极端子，以及耦接在所述第一节点和所述第二节点之间并与所述RC电路并联的阳极阴极端子对，其中所述栅极端子处的电流控制所述骤回器件中的阳极阴极电流流动。
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