国际商业机器公司B·克斯廷获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利具有降低的最小电导状态的突出的存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111350278.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权具有降低的最小电导状态的突出的存储器件是由B·克斯廷;G·S·塞耶德;V·S·P·琼纳拉加达;M·勒加洛-布尔多;A·塞巴斯蒂安;T·M·菲利普设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有降低的最小电导状态的突出的存储器件在说明书摘要公布了：可以提供实现降低的最小电导状态的存储器器件。该器件包括第一电极、第二电极和在第一电极和第二电极之间的相变材料，其中该相变材料取决于相变材料的晶相和非晶相之间的比率来实现多个电导状态。该存储器器件附加地包括在第一电极和第二电极之间的区中的突出层部分。由此，在存储器器件的复位状态下由非晶相中的相变材料直接覆盖的区域大于定向到相变材料的突出层部分的区域，使得产生了存储器器件的电导状态的不连续性，并且实现了复位状态下的存储器器件的降低的最小电导状态。
本发明授权具有降低的最小电导状态的突出的存储器件在权利要求书中公布了：1.一种实现降低的最小电导状态的存储器器件，所述器件包括： 第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的相变材料； 位于所述相变材料和所述第一电极之间的突出层，其中在所述存储器器件的复位状态下，所述突出层被定位成与非晶相中的所述相变材料相邻，其中所述相变材料的所述非晶相的接触面与所述突出层的接触面直接接触，其中所述突出层的所述接触面的面积小于所述相变材料的所述非晶相的所述接触面的面积； 被定位成与所述突出层相邻的非突出层，其中所述非突出层的接触面与所述相变材料的所述非晶相的所述接触面接触，并且在所述存储器器件的复位状态下，所述非突出层的所述接触面与晶相中的所述相变材料的接触面接触，其中所述非突出层的接触面与所述突出层的所述接触面齐平； 被定位成与所述第一电极、所述突出层以及所述非突出层相邻的电介质层，其中所述电介质层的顶面与所述突出层的底面以及所述非突出层接触，其中所述电介质层的侧面与所述第一电极的侧面接触，其中所述第一电极的顶面小于所述突出层的所述底面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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