集美大学庄萍萍获国家专利权
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龙图腾网获悉集美大学申请的专利过渡金属硫化物薄膜及其制法、阻变存储器及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802876B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211327632.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权过渡金属硫化物薄膜及其制法、阻变存储器及其制法是由庄萍萍;林伟毅;闫晗设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本过渡金属硫化物薄膜及其制法、阻变存储器及其制法在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜材料技术领域，具体涉及一种过渡金属硫化物薄膜及其制法、阻变存储器及其制法。包括：提供前驱体，所述前驱体选自硫代钼酸铵、硫代钨酸铵、硫代钒酸铵中的至少一种；将前驱体和有机溶剂混合，得到前驱体溶液；将前驱体溶液涂覆到第一衬底上并干燥以由此形成前驱体膜；提供具有形成于其上的硫化物膜的第二衬底；将具有形成于其上的前驱体膜的第一衬底和具有形成于其上的硫化物膜的第二衬底以前驱体膜与硫化物膜面接触的形式层叠以由此形成层叠体；将所述层叠体在含氢气氛中进行退火。本发明能够制备高质量大面积少层二维薄膜，从而兼顾二维材料的优异性能和薄膜在后续工艺中的耐受性，且不受多层薄膜均匀性和晶粒尺寸问题的影响。
本发明授权过渡金属硫化物薄膜及其制法、阻变存储器及其制法在权利要求书中公布了：1.一种过渡金属硫化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 提供前驱体，所述前驱体选自硫代钼酸铵、硫代钨酸铵、硫代钒酸铵中的至少一种； 将所述前驱体和有机溶剂混合，得到前驱体溶液；所述有机溶剂包括二甲基甲酰胺、正丁胺和乙醇胺；所述二甲基甲酰胺、正丁胺和乙醇胺的质量比为4~6：1.5~2.5：1； 将所述前驱体溶液涂覆到第一衬底上并干燥以由此形成前驱体膜； 提供具有形成于其上的硫化物膜的第二衬底； 将具有形成于其上的前驱体膜的第一衬底和具有形成于其上的硫化物膜的第二衬底以前驱体膜与硫化物膜面接触的形式层叠以由此形成层叠体； 将所述层叠体在含氢气氛中进行退火，得到具有形成于其上的过渡金属硫化物薄膜的第一衬底。
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