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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种基于薄膜铌酸锂多模波导的偏振无关电光调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116009292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211636842.7，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权一种基于薄膜铌酸锂多模波导的偏振无关电光调制器是由王宗;陈楷旋;郭昌建设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于薄膜铌酸锂多模波导的偏振无关电光调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂多模波导的偏振无关电光调制器，包括硅衬底层、埋氧层、铌酸锂层和位于铌酸锂层上的金属电极。基于X切薄膜铌酸锂层包括输入和输出直波导、输入和输出端模式转换器、多模分束器、多模波导相移臂和多模合束器。当TE0模式从任一输入直波导输入时，其调制原理与传统的马赫曾德尔电光调制器一样；与TE0模相同传输路径，当TM0模式输入时，经过输入端模式转换器转换为一阶横电模即TE1模，经过多模分束器实现TE1模3dB分束，在多模波导相移臂进行调制，通过多模合束器干涉输出，最后由输出端模式转换器转为TM0模输出。本发明有效的扩大了电光调制器的应用范围，解决了不同偏振模式光的调制问题。

本发明授权一种基于薄膜铌酸锂多模波导的偏振无关电光调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜铌酸锂多模波导的偏振无关电光调制器，其特征在于，包括从下到上依次层叠布置的硅衬底层22、埋氧层21和铌酸锂层20，在铌酸锂层20上方布置了T结构金属电极18、金属行波信号电极10以及金属行波接地电极9；通过刻蚀技术在X切铌酸锂层20形成薄膜铌酸锂光波导，薄膜铌酸锂光波导包含了依次连接的输入直波导1、输入端模式转换器2、多模分束器5、第一S弯曲波导6、多模波导相移臂的输入渐变锥7、多模波导相移臂8、多模波导相移臂的输出渐变锥11、第二S弯曲波导12、多模合束器14、输出端模式转换器16与输出直波导17；所述的多模波导相移臂8周围设置了金属行波电极，所述金属行波电极包括：两侧各连接一组周期性排布的T结构金属电极18的金属行波信号电极10、单侧连接一组周期性排布的T结构金属电极18的金属行波接地电极9，并通过铌酸锂层20处的小孔19将硅衬底层22部分刻蚀形成一个空腔23；具体而言两侧各连接一组周期性排布的T结构金属电极18的金属行波信号电极10位于多模波导相移臂两臂8之间，而单侧连接一组周期性排布的T结构金属电极18的金属行波接地电极9位于多模波导相移臂8两臂外侧，整个马赫曾德尔调制结构上下和左右对称放置； 所述输入端模式转换器2和输出端模式转换器16的结构完全相同，用于实现较窄端TM0模与较宽端TE1模的相互转换，同时TE0模保持不变；所述输入端模式转换器2的较窄端波导宽度W1小于TM0模与TE1模的模式杂化宽度，并且支持TE0，TM0模式，所述输入端模式转换器2的较宽端波导宽度W2大于TM0模与TE1模模式杂化宽度；所述输入端模式转换器2的长度L1由模式演化理论决定，以实现较窄端TM0模与较宽端TE1模的完全耦合； 所述的多模分束器5与多模合束器14结构完全相同，由2×2多模干涉结构和两组输入输出渐变锥组成，所述多模分束器的干涉结构的宽度W4和长度L3由多模干涉自成像理论决定，当TE0或TE1模式从其中一端口输入时，同时实现TE0或TE1模式的3dB分束，所述多模分束器的输入渐变锥3末端宽度W2和多模分束器的输出渐变锥4末端宽度W5大于TM0模与TE1模模式杂化宽度，避免光经过渐变锥发生模式转换，而多模合束器的输出渐变锥15和多模分束器输入渐变锥3的结构完全相同且对称放置，多模合束器的输入渐变锥13与多模分束器的输出渐变锥4的结构完全相同且对称放置。

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