中电海康集团有限公司于志猛获国家专利权
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龙图腾网获悉中电海康集团有限公司申请的专利半导体器件的制作方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116936362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210360758.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件是由于志猛;何世坤设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供包括衬底、底电极层、存储材料层、第一介质层以及顶电极层的基底，其中，衬底、底电极层、存储材料层以及第一介质层依次层叠，第一介质层包括第一开口，第一开口使得部分的存储材料层裸露，顶电极层位于第一开口内；然后，沿着第一方向去除部分顶电极层，剩余的顶电极层形成多个间隔设置的预备顶电极；之后，沿着第二方向去除部分预备顶电极，使得每个预备顶电极形成多个间隔的顶电极，第二方向垂直于第一方向；最后，以顶电极作为掩膜，刻蚀存储材料层，使得部分的底电极层裸露。通过改变去除面积，实现较小的顶电极的制作，保证了半导体器件尺寸满足发展需求。
本发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、底电极层、存储材料层、第一介质层以及顶电极层，其中，所述衬底、所述底电极层、所述存储材料层以及所述第一介质层依次层叠，所述第一介质层包括第一开口，所述第一开口使得部分的所述存储材料层裸露，所述顶电极层位于所述第一开口内； 沿着第一方向去除部分所述顶电极层，剩余的所述顶电极层形成多个间隔设置的预备顶电极，所述第一方向垂直于所述衬底厚度的方向； 沿着第二方向去除部分所述预备顶电极，使得每个所述预备顶电极形成多个间隔的顶电极，所述第二方向垂直于所述衬底厚度的方向，所述第二方向垂直于所述第一方向； 以所述顶电极作为掩膜，刻蚀所述存储材料层，使得部分的所述底电极层裸露，剩余的所述存储材料层形成存储层。
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