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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于双偶极子天线的宽带波导-接地共面波导过渡结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117254233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311291707.8，技术领域涉及：H01P5/08；该发明授权基于双偶极子天线的宽带波导-接地共面波导过渡结构是由张勇;刘广儒;张宜明;朱华利;胡江设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双偶极子天线的宽带波导-接地共面波导过渡结构在说明书摘要公布了：本发明公开了基于双偶极子天线的宽带波导‑接地共面波导过渡结构，属于太赫兹技术领域，包括输入端波导、矩形金属腔、太赫兹集成芯片和输出端波导；太赫兹集成芯片包括衬底、集成结构、背金和两个第一偶极子天线过渡段；集成结构包括两根共面波导中心导带、第一共面波导接地层、两个第二共面波导接地层、多个空气桥和四个天线结构；天线结构与对应同端区域的第一偶极子天线过渡段构成一对偶极子天线，共计四对偶极子天线。本发明通过将传统片上偶极子天线中连接共面波导接地层的过渡段放置在背金层，极大减小偶极子天线所占用的面积，提高电磁能量耦合效率，拓展过渡结构带宽，结构简单，易于加工，具有良好的应用前景。

本发明授权基于双偶极子天线的宽带波导-接地共面波导过渡结构在权利要求书中公布了：1.基于双偶极子天线的宽带波导-接地共面波导过渡结构，其特征在于，包括依次的输入端波导、矩形金属腔和输出端波导，以及设置在矩形金属腔内部的太赫兹集成芯片；太赫兹集成芯片与输入端波导和输出端波导的H面垂直； 所述太赫兹集成芯片包括衬底，加工在衬底正面的集成结构，以及加工在衬底背面的背金和两个第一偶极子天线过渡段；其中，集成结构包括两根沿信号传输方向设置的共面波导中心导带，位于两根共面波导中心导带之间的第一共面波导接地层，两个分别位于两根共面波导中心导带外侧的第二共面波导接地层，多个用于连接第一共面波导接地层与第二共面波导接地层的空气桥，以及四个天线结构； 所述第一共面波导接地层沿信号传输方向设置一排与背金连接的金属通孔，第二共面波导接地层的四周设置多个与背金连接的金属通孔； 两根共面波导中心导带的两端分别与对应的天线结构相连，两个第一偶极子天线过渡段分别与第一共面波导接地层对应的背金区域两端相连；天线结构与对应同端区域的第一偶极子天线过渡段构成一对偶极子天线，共计四对偶极子天线。

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