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吉林奥来德光电材料股份有限公司王辉获国家专利权

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龙图腾网获悉吉林奥来德光电材料股份有限公司申请的专利一种含硼氮有机化合物及包含其的有机电致发光器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121405734B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202512005281.0,技术领域涉及:C07F7/10;该发明授权一种含硼氮有机化合物及包含其的有机电致发光器件是由王辉;李小龙;李国强;郎兴旺;邵建;许巍瀚设计研发完成,并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种含硼氮有机化合物及包含其的有机电致发光器件在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体技术领域,提供了一种含硼氮有机化合物及包含其的有机电致发光器件。本发明提供的有机电致发光器件采用特定结构的掺杂材料,引进含有B、N原子的特定掺杂材料,因为硼原子拥有空的p轨道,能够作为强电子受体,促进电子在分子中的有效捕获与传输,从而改善整体的载流子平衡,通式引入特定的式1或式2结构,能够增强器电子注入与传输效率,同时能提高其电子迁移率,最终实现OLED器件驱动电压降低、效率提高及寿命延长。

本发明授权一种含硼氮有机化合物及包含其的有机电致发光器件在权利要求书中公布了:1.一种含硼氮有机化合物,其特征在于,所述含硼氮有机化合物的结构如下式所示具体结构之一: ; X为NR´、O、S、SiR´R´´、GeR´R´´、CR´R´´、Se中的一种; Y为NR´或CR´R´´; 其中R´和R´´各自独立地选自-H、-D、-T、-F、-CN、-CH3、-CD3、-CT3、-CF3、-CH2F、-CHF2、-SiMe3、-GeMe3、未取代的C2-C40烷基、未取代的C3-C40环烷基、未取代的C6-C40芳基、未取代的C4-C40杂环基中的一种或几种; R1-R7、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地选自以下基团:-H、-D、-T、-F、-CN、-CH3、-CD3、-CT3、-CF3、-CH2F、-CHF2、-SiMe3、-GeMe3、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、四氢呋喃、吡咯啶、硫杂环戊烷、四氢吡喃、苯基、联苯、氘代苯基、联氘代苯基、联三苯、萘基、芴基、菲基、蒽基、茚基、三亚苯基、芘基、并四苯基、苝基、屈基、稠四苯基、荧蒽基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、异噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并异噁唑基、苯并噁唑基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、吩噁嗪基、菲啶基、苯并间二氧杂环戊烯基等基团及如下取代基及其组合: ; 并且,R1-R7、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的一个至少含有式1和式2的一种或两种; ; 其中, 表示连接位置; X1各自独立地选自Si、C中的一种; X2各自独立地选自Si、C中的一种; X1为Si时,X2为C时不包含在上述式中; X3选自O、S、Se中的一种; Y1和Y2各自独立地选自SiRxRy、GeRxRy; 其中Rx和Ry独立地选自-H、-D、-T、-F、-CN、-CH3、-CD3、-CT3、-CF3、-CH2F、-CHF2、-SiMe3、-GeMe3、未取代的C2-C18烷基、未取代的C3-C40环烷基、未取代的芳胺基、未取代的C6-C40芳基、未取代的C4-C40杂环基中的一种或几种; 环A选自未取代的C3~C40环烷基、未取代的C6~C40的芳基、未取代的C2~C40杂芳基中的一种或几种; 环M1-环M7选自苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苯并菲、二联苯基、三联苯基、二甲基芴基、二苯基芴基、吡啶基、咔唑基、呋喃基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、N-苯基咔唑基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、恶唑基、咪唑基、苯并恶唑基、苯并咪唑基环戊基、环己烷、金刚烷基、9,9-二苯基芴基、螺芴基及其组合; 方块H表示为苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、荧蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的一种或几种; 表示无连接键或有连接键。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人吉林奥来德光电材料股份有限公司,其通讯地址为:130000 吉林省长春市高新开发区硅谷新城生产力大厦A座19层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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