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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种高密度多通道Ku波段射频信道一体化集成微模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121530459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610048941.5，技术领域涉及：H04B7/185；该发明授权一种高密度多通道Ku波段射频信道一体化集成微模组是由蔡传涛;蒋磊;文孝康;于浩楠;张君直设计研发完成，并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高密度多通道Ku波段射频信道一体化集成微模组在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高密度多通道Ku波段射频信道一体化集成微模组，属于射频微系统技术领域。该微模组采用三维堆叠架构，包括四通道收发前端IP、收发变频IP、本振源IP和高密度集成PCB基板，三种IP均为硅基封装；接收输入信号进入四通道收发前端IP，经过幅度相位控制，通过高密度集成PCB基板传输到收发变频IP中，经过射频频率选通滤波后混频下变频到中频输出。发射输入信号进入收发变频IP，经过混频上变频，经过射频频率选通滤波后，通过高密度集成PCB基板传输到四通道收发前端IP，经过幅度相位控制，再通过功放芯片放大输出。本发明采用芯片预设接地环、硅基板独立分腔和IP屏蔽腔，解决通信时复杂电磁兼容问题。

本发明授权一种高密度多通道Ku波段射频信道一体化集成微模组在权利要求书中公布了：1.一种高密度多通道Ku波段射频信道一体化集成微模组，其特征在于，包括依次水平布置在高密度集成PCB基板1上的四通道收发前端IPE01、本振源IPE02和收发变频IPE03；其中，三种IP均为硅基封装，各个IP通过与高密度集成PCB基板1的三维堆叠实现电气互联，本振源IPE02为POP架构； 接收输入信号通过高密度集成PCB基板1进入四通道收发前端IPE01，经过收发放大电路进行功率放大后，经3D异构多功能芯片对接收输入信号进行幅度相位调整，再通过高密度集成PCB基板1内部互联走线进入收发变频IPE03，在收发变频IPE03中进行开关滤波器组频段选通后，通过混频电路下变频输出中频信号，最后再通过高密度集成PCB基板1输出； 发射输入信号通过高密度集成PCB基板1进入收发变频IPE03，经过上变频、射频频段选通之后，进入四通道收发前端IPE01，经过3D异构多功能芯片对发射输入信号进行幅度相位调整，再经过收发放大电路进行功率放大后，通过高密度集成PCB基板1输出； 本振源IPE02产生接收本振信号和发射本振信号，通过开关放大电路选择接收本振信号或发射本振信号，再通过功分网络22提供四路信号输入收发变频IPE03； 所述四通道收发前端IPE01由集成在四通道收发前端IP硅基管壳内部的3D异构多功能芯片和收发放大电路构成； 四通道收发前端IP硅基管壳由四通道收发前端IP硅基板2和带有分腔的四通道收发前端IP硅帽8构成，四通道收发前端IP硅帽8通过晶圆级键合的方式装配在四通道收发前端IP硅基板2上方；所述四通道收发前端IP硅基板2下方集成BGA焊球11，用于与高密度集成PCB基板1的互连； 所述收发变频IPE03由集成在收发变频IP硅基管壳内的混频电路、本振信号放大电路和射频频段选通电路构成； 收发变频IP硅基管壳由收发变频IP硅基板4和带有分腔的收发变频IP硅帽9构成，收发变频IP硅帽9通过晶圆级键合的方式装配在收发变频IP硅基板4上方；所述收发变频IP硅基板4下方集成BGA焊球11，用于与高密度集成PCB基板1的互连； 所述混频电路、本振信号放大电路和射频频段选通电路上均设置有芯片键合PAD26，芯片键合PAD26通过引线键合15与硅基板键合区域27连接。

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