合肥晶合集成电路股份有限公司井口学获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121531981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610042811.0，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法是由井口学设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法，半导体器件测试结构包括电阻测量线、电容测量线、虚设线，所述电阻测量线和电容测量线同层设置于半导体衬底上，所述电阻测量线用于测量连接线的电阻；所述电容测量线用于测量连接线的电容，所述电容测量线包括第一电容测量线和第二电容测量线，所述第一电容测量线和第二电容测量线分别设置于所述电阻测量线的两侧，所述虚设线设于所述电阻测量线和所述电容测量线的相邻层，以同一测试结构实现半导体器件连接线结构中电阻和电容的准确测量。
本发明授权半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件测试结构，其特征在于，包括电阻测量线、电容测量线、虚设线，所述电阻测量线和电容测量线同层设置于半导体衬底上，所述电阻测量线用于测量连接线的电阻；所述电容测量线用于测量连接线的电容，所述电容测量线包括第一电容测量线和第二电容测量线，所述第一电容测量线和第二电容测量线分别设置于所述电阻测量线的两侧，所述虚设线设于所述电阻测量线和所述电容测量线的相邻层，且接地或施加预定电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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