成都天奥技术发展有限公司;电子科技大学赵春莹获国家专利权
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龙图腾网获悉成都天奥技术发展有限公司;电子科技大学申请的专利一种近场电磁波成像多模态噪声协同抑制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121767227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610250008.6,技术领域涉及:G06T5/70;该发明授权一种近场电磁波成像多模态噪声协同抑制方法是由赵春莹;彭礼彪;赵兴忠;唐宇;毕东杰;李西峰;谢永乐;曾世超;张芹蕾;梁菁;杜元杰;王风设计研发完成,并于2026-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种近场电磁波成像多模态噪声协同抑制方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种近场电磁波成像多模态噪声协同抑制方法,涉及电磁波成像技术领域,旨在解决现有技术对斑点、条纹、高斯混合噪声抑制效果差、易丢失目标结构的问题。该方法采用“复数域斑点抑制‑多向条纹分离‑跨通道高斯抑制”三阶段协同方案,先通过自适应阈值处理复数域图像的幅值与相位以去除斑点噪声;再对复数域实部、虚部分别执行水平垂直ADOM滤波以消除条纹噪声;最后结合BM3D滤波与三维变换域优化抑制高斯噪声,并通过多频点融合提升鲁棒性。实验表明,本方法SSIM较传统方法提升21.7%,GSSIM与PSNR均最优,可在强噪声环境下保留目标结构特征,适用于近场电磁波合成孔径成像的缺陷检测等场景。
本发明授权一种近场电磁波成像多模态噪声协同抑制方法在权利要求书中公布了:1.一种近场电磁波成像多模态噪声协同抑制方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、复数域斑点噪声抑制,具体如下: S101、获取含噪声的原始近场电磁波成像图像,其中表示复数域,为图像像素维度,分离原始近场电磁波成像图像的幅值分量与相位分量; S102、基于所述幅值分量的全局均值与全局标准差构建幅值自适应阈值如下: ; 基于所述相位分量的全局均值与全局标准差构建相位自适应阈值如下: ; S103、根据所述自适应阈值对幅值分量、相位分量分别执行非线性抑制处理,得到斑点噪声抑制后的幅值与相位; S104、基于与重构复数域图像,其中为虚数单位; S2、复数域条纹噪声抑制,具体如下: S201、对的实部归一化至,执行水平方向ADOM滤波得到、垂直方向ADOM滤波得到,所述ADOM滤波满足: ; ; 其中为方向微分算子,、分别为水平、垂直方向梯度,为正则化参数; S202、对的虚部归一化至[0,255],按上述ADOM滤波方式得到水平方向虚部滤波结果与垂直方向虚部滤波结果; S203、重构条纹噪声抑制后的复数域图像; S3、跨通道高斯噪声抑制,具体如下: S301、对的实部执行滤波得到,对的虚部执行BM3D滤波得到,其中表示块匹配3D滤波操作; S302、对与的并集执行三维小波包变换,通过自适应阈值算子处理后,经逆三维小波包变换得到最终输出图像,即; S4、多频点融合优化,具体如下: 对不同频点下经步骤S1至S3处理后的图像,分别执行相干融合的相位对齐与幅值叠加、非相干融合的像素级加权平均,实现多模态噪声的综合抑制。
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