上海纳矽微电子有限公司;苏州纳芯微电子股份有限公司袁辅德获国家专利权
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龙图腾网获悉上海纳矽微电子有限公司;苏州纳芯微电子股份有限公司申请的专利磁传感器及电流检测装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224231955U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520846964.1，技术领域涉及：G01R33/07；该实用新型磁传感器及电流检测装置是由袁辅德;曾海飞设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器及电流检测装置在说明书摘要公布了：本实用新型揭示了一种磁传感器及电流检测装置，信号磁场包括沿第一方向的磁场分量，所述磁传感器包括：第一工作单元，用于检测沿第二方向的磁场分量以产生第一信号；导磁组件，包括至少一个导磁单元，导磁单元至少部分位于所述第一工作单元的第二方向一侧；磁场产生单元，用于产生激发磁场；校准组件，包括至少一个校准单元，校准单元用于检测激发磁场以产生第二信号，第二信号用于校准第一信号；所述校准组件设置于第一参考线上，第一参考线与导磁组件的中心线相交且沿第三方向延伸，中心线经过导磁组件整体的中心且沿第二方向延伸；第一方向、第二方向和第三方向互成角度地设置。本实用新型的磁传感器，兼顾感度、带宽和准确性。
本实用新型磁传感器及电流检测装置在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器，其特征在于，磁传感器用于检测信号磁场，信号磁场包括沿第一方向的磁场分量，所述磁传感器包括： 第一工作单元，用于检测沿第二方向的磁场分量以产生第一信号； 导磁组件，包括至少一个导磁单元，导磁单元至少部分位于所述第一工作单元的第二方向一侧； 磁场产生单元，用于产生激发磁场； 校准组件，包括至少一个校准单元，校准单元用于检测激发磁场以产生第二信号，第二信号用于校准第一信号； 所述校准组件设置于第一参考线上，第一参考线与导磁组件的中心线相交且沿第三方向延伸，中心线经过导磁组件整体的中心且沿第二方向延伸；第一方向、第二方向和第三方向互成角度地设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海纳矽微电子有限公司;苏州纳芯微电子股份有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区集创路52号、集电路245号4幢6层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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