台湾积体电路制造股份有限公司史毅骏获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224232358U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520871552.3，技术领域涉及：G11C5/06；该实用新型记忆体是由史毅骏;王奕设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体在说明书摘要公布了：一种记忆体包含具有一第一输入、一第二输入及一输出的一逻辑电路，及一记忆体电路，该记忆体电路包含：一晶体管，耦接至该逻辑电路，该晶体管具有包含一源极及一漏极的一半导体层；及一储存节点，具有一第一连接件、一第二连接件及一第三连接件。该晶体管的该源极或该漏极耦接至该储存节点的该第一连接件，该逻辑电路包含一基板的一主动区中的一或多个晶体管，该一或多个晶体管为前段工艺FEOL装置，且该半导体层及该储存节点位于该基板上方的后段工艺BEOL层中。
本实用新型记忆体在权利要求书中公布了：1.一种记忆体，其特征在于，包括： 一逻辑电路，具有一第一输入、一第二输入及一输出；及 一记忆体电路，包含： 一晶体管，耦接至该逻辑电路，该晶体管具有包含一源极及一漏极的一半导体层；及 一储存节点，具有一第一连接件、一第二连接件及一第三连接件，其中： 该晶体管的该源极或该漏极耦接至该储存节点的该第一连接件， 该逻辑电路包含一基板的一主动区中的一或多个晶体管，该一或多个晶体管为多个前段工艺装置，且 该半导体层及该储存节点位于该基板上方的多个后段工艺层中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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