中微半导体设备(上海)股份有限公司叶如彬获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利等离子体约束结构及等离子体处理设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224232637U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520402185.2，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型等离子体约束结构及等离子体处理设备是由叶如彬;马越;王洪青;范光伟设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体约束结构及等离子体处理设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种等离子体约束结构及等离子体处理设备。一种实施例中，所述等离子体约束结构包括：第一环，所述第一环为硅基材质且形成有第一气体通道；第二环，连接于所述第一环的下游侧，所述第二环中形成有第二气体通道，所述第二气体通道与所述第一气体通道连通；接地环，连接于所述第二环的下游侧，并使所述第一环接地。另一种实施例中，所述等离子体约束结构包括：硅基约束环，所述硅基约束环中形成有气体通道，且所述硅基约束环的下游侧的两侧均接地。本实用新型用于解决现有的等离子约束结构存在的零件寿命低、涂层材料损坏并溅射到晶圆上影响工艺结果的问题。
本实用新型等离子体约束结构及等离子体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子体约束结构，其特征在于，包括： 第一环，所述第一环为硅基材质且形成有第一气体通道； 第二环，连接于所述第一环的下游侧，所述第二环中形成有第二气体通道，所述第二气体通道与所述第一气体通道连通； 接地环，连接于所述第二环的下游侧，并使所述第一环接地。
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