芯恩(青岛)集成电路有限公司王青艳获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利刻蚀装置及半导体处理设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224232638U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520750111.8，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型刻蚀装置及半导体处理设备是由王青艳;贾铭基;陶祥先设计研发完成，并于2025-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本刻蚀装置及半导体处理设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种刻蚀装置及半导体处理设备，属于半导体制造技术领域，刻蚀装置包括反应腔，反应腔内设置有喷淋头，喷淋头上设置有喷淋孔，喷淋头上和或反应腔的侧壁上设置有检测元件，检测元件包括惠斯通电桥，该刻蚀装置在刻蚀过程中，聚合物会沉积到位于反应腔内部的待测量电阻上，通过待测量电阻的电阻值能够获得待测量电阻上聚合物的沉积量，在沉积量达到一定程度时，能够提醒工作人员及时清理喷淋头以及反应腔内部，避免腔体内刻蚀过程中产生的聚合物积累在喷淋头堵塞喷淋孔，减少或者避免了喷淋头出气不均匀造成刻蚀不均匀的问题，以及聚合物积累成微粒附着在晶圆上影响器件电性能导致成品率下降的问题。
本实用新型刻蚀装置及半导体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀装置，其特征在于： 包括反应腔，所述反应腔内设置有喷淋头，所述喷淋头上设置有喷淋孔，所述喷淋头上和或所述反应腔的侧壁上设置有检测元件； 所述检测元件包括惠斯通电桥，所述惠斯通电桥包括连接有第一已知电阻和可调节电阻的第一串联电路、连接有第二已知电阻和待测量电阻的第二串联电路以及连接所述第一串联电路和第二串联电路的检流计； 所述待测量电阻设置于所述反应腔内部，所述待测量电阻不覆盖所述喷淋孔，所述第一已知电阻、所述第二已知电阻和所述可调节电阻设置于所述反应腔外部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯恩(青岛)集成电路有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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