无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司王显亮获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司申请的专利一种半导体刻蚀设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224232639U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520788698.1，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种半导体刻蚀设备是由王显亮;张惠贤;杨文宾;孙文彬设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体刻蚀设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体刻蚀设备，属于半导体制造技术领域。半导体刻蚀设备包括壳体组件、上电极组件、下电极组件、射频电源、真空泵和薄膜规，壳体组件设有反应腔；下电极组件包括静电卡盘，上电极组件和静电卡盘均设于反应腔内，且静电卡盘设于上电极组件下方；射频电源通过射频匹配器连接至安装基座，静电卡盘连接至安装基座，以使静电卡盘与射频电源导通；真空泵设于反应腔的排气口处，用于对反应腔抽真空；薄膜规的检测头设于反应腔内，用于测量反应腔的真空度，薄膜规能够加热至预设温度。本实用新型的半导体刻蚀设备，提高了反应腔内真空度的测量精度，进而保证晶圆的刻蚀效果。
本实用新型一种半导体刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于，包括： 壳体组件，所述壳体组件设有反应腔1A； 上电极组件2和下电极组件，所述下电极组件包括静电卡盘3，所述上电极组件2和所述静电卡盘3均设于所述反应腔1A内，且所述静电卡盘3设于所述上电极组件2下方； 射频电源，所述射频电源通过射频匹配器20连接至安装基座，所述静电卡盘3连接至所述安装基座，以使所述静电卡盘3与所述射频电源导通； 真空泵5，设于所述反应腔1A的排气口处，所述真空泵5用于对所述反应腔1A抽真空； 薄膜规4，所述薄膜规4的检测头设于所述反应腔1A内，用于测量所述反应腔1A的真空度，所述薄膜规4能够加热至预设温度。
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