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纺织,织造,皮革制品制作工具,设备的制造及其制品技术处理方法
  • 一种编织袋生产用纱架
    一种编织袋生产用纱架_莘县东风塑编有限公司_202520815845.X
    本实用新型涉及编织袋纱架技术领域，公开了一种编织袋生产用纱架，包括多个固定架，左侧所述固定架的相邻一侧均固定连接有连接板，多个所述连接板的内壁均转动连接有固定轴，左侧所述固定架的底部均转动连接有转动轴，两个所述转动轴的底端均固定连接有固定柱...
    2026-04-01
  • 一种便于扩展的雨水收集模块
    一种便于扩展的雨水收集模块_苏州丰鸿利生态科技有限公司_202520742818.4
    本实用新型公开了一种便于扩展的雨水收集模块，涉及雨水收集技术领域。本实用新型包括箱体，箱体的两侧对称开设有侧槽，箱体的顶部开设有顶槽，顶槽下方的箱体中放置有雨水箱。本实用新型通过将扩展板沿着导雨槽向上滑动，并将螺栓的上端旋入扩展板下端底部开...
    2026-04-01
  • 一种仿麂皮大衣面料
    一种仿麂皮大衣面料_嘉善爱欧特服装有限公司_202520672297.X
    本实用新型公开了一种仿麂皮大衣面料，包括：面料主体，面料主体包括依次设置的抗起毛起球层、保暖层和导湿抗菌层；抗起毛起球层由经纱和纬纱交织而成，经纱包括第一经纱和第二经纱，纬纱包括第一纬纱和第二纬纱；第一经纱和第一纬纱均为海岛复合丝，第二经纱...
    2026-04-01
  • 一种持水织物、过滤件及加湿器
    一种持水织物、过滤件及加湿器_深圳市晨北科技有限公司_202520160007.3
    本实用新型公开了一种持水织物、过滤件及加湿器，包括：至少两个织面，至少两个织面层叠设置，至少两个织面包括相邻的第一织面和第二织面；第一织面包括多个第一气口，第一气口由多个第一织线连接围成，相邻第一织线在连接处形成第一套孔；第二织面包括多个第...
    2026-04-01
  • 一种阻燃抗熔滴面料
    一种阻燃抗熔滴面料_广东浪登服装有限公司_202512056431.0
    本发明公开包括由下而上设置的基层、防电纤维层、隔热纤维层、防水纤维层以及阻燃抗熔滴层；防电纤维层置于基层外侧，防电纤维层远离基层的一面设有隔热纤维层，隔热纤维层远离防电纤维层的一面设有防水纤维层，防水纤维层远离隔热纤维层的一面设有阻燃抗熔滴...
    2026-04-01
  • 一种喷杆的清洗组件及喷杆装置和马桶
    一种喷杆的清洗组件及喷杆装置和马桶_厦门九牧研发有限公司_202520574264.1
    本实用新型公开了一种喷杆的清洗组件及喷杆装置和马桶，喷杆的清洗组件包括用于向喷杆表面喷射清洗剂的清洗喷头，该清洗喷头设有喷口；还包括用于向喷杆表面吹风的吹风喷头，该吹风喷头设有出风口，出风口输出的风至少将喷杆上残留的清洗剂吹落；吹风喷头与清...
    2026-04-01
  • 一种雨水收集模块快速安装结构
    一种雨水收集模块快速安装结构_苏州丰鸿利生态科技有限公司_202520247885.9
    本实用新型公开了一种雨水收集模块快速安装结构，涉及雨水收集技术领域，包括水体导流管，所述水体导流管的一侧，顶端表面固定安装有限位顶柱，所述水体导流管靠近限位顶柱的一侧表面固定安装有导流盘，所述导流盘的一侧表面开设有水体进入孔，所述限位顶柱的...
    2026-04-01
  • 雨水收集再利用的建筑屋顶结构
    雨水收集再利用的建筑屋顶结构_王超然_202520625375.0
    本实用新型涉及雨水收集再利用结构设计领域，公开了雨水收集再利用的建筑屋顶结构，包括集雨箱，所述集雨箱的右侧固定连接有储雨箱，所述储雨箱内壁的底侧固定连接有安装架，所述安装架的顶侧开设有安装槽，所述安装槽内部设置有过滤网，所述储雨箱的后侧通过...
    2026-04-01
  • 桥梁涵洞基坑降水排水装置
    桥梁涵洞基坑降水排水装置_黑龙江省水利水电勘测设计研究院(水利部黑龙江水利水电勘测设计研究院、黑龙江省水利水电规划院)_202520809401.5
    本实用新型公开了桥梁涵洞基坑降水排水装置，包括外壳体，所述外壳体包括箱体，所述箱体为空心的四方体结构，所述箱体的顶部两侧对称开设有检修口，所述箱体的顶部中央位置开设有第一安装口，所述箱体的顶部铰接安装有与检修口配对的密封盖，所述箱体的一侧底...
    2026-04-01
  • 海上风电机组抗海浪扰动方法及系统
    海上风电机组抗海浪扰动方法及系统_华能昌黎太阳能发电有限公司_202512033527.5
    本发明提供一种海上风电机组抗海浪扰动方法及系统，该海上风电机组抗海浪扰动方法包括：步骤1：通过布置在塔筒上的传感器实时获取海面距离数据，并根据距离数据的变化判断海浪是否处于波峰接近状态；步骤2：当判定为波峰接近状态时，测量海浪冲击的能量等级...
    2026-04-01
  • 一种高强度高比表面积活性碳纤维布及其制备方法与应用
    一种高强度高比表面积活性碳纤维布及其制备方法与应用_新兴际华(北京)材料技术研究院有限公司_202311541726.1
    本发明公开了一种高强度高比表面积活性碳纤维布及其制备方法与应用。所述活性碳纤维布，由聚丙烯腈预氧化纤维和金属纤维织造得到；所述金属纤维由聚丙烯腈预氧化纤维及包覆在其表面的金属层组成。所述活性碳纤维布具有高强度、高比表面积，粉末化程度低，良好...
    2026-04-01
  • 纤维预制体三维织机
    纤维预制体三维织机_同合碳材料科技(无锡)有限公司_202610261628.X
    本发明涉及织构设备技术领域，尤其涉及一种纤维预制体三维织机，其包括机架，机架具有安装腔，机架的上端开设有与安装腔连通的织造腔；牵引机构设置在机架的上端，且位于织造腔处；多个经线柔性携纱器的经线与预制体连接；多个第一磁悬浮基板以阵列排布在安装...
    2026-04-01
  • 一种风电塔清洁用的塔筒攀爬机器人结构
    一种风电塔清洁用的塔筒攀爬机器人结构_内蒙古工业大学_202610024190.3
    本发明涉及攀爬结构的技术领域，特别是涉及一种风电塔清洁用的塔筒攀爬机器人结构，包括围绕塔筒周向分布的若干移动体及位于相邻两所述移动体之间的拉绳，所述移动体上设置有收卷电机和卷辊，所述收卷电机用于为所述卷辊提供动力，所述拉绳的一端缠绕在所述卷...
    2026-04-01
  • 一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器
    一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器_西安电子科技大学芜湖研究院_202411821121.2
    本发明提供一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器，涉及超宽禁带半导体场效应晶体管器件技术领域。包括：通过气态源或者固态源，向微波等离子体化学气相沉积腔室中引入硼元素和氮元素，以在金刚石衬底层上生长n型金刚石外延；利用氢等离子体处理沉积金...
    2026-04-01
  • 一种杀菌灭藻剂药液过滤装置
    一种杀菌灭藻剂药液过滤装置_山东新海天新材料科技有限公司_202520807586.6
    本实用新型涉及杀菌灭藻剂生产技术领域，且公开了一种杀菌灭藻剂药液过滤装置，包括过滤装置主体，所述过滤装置主体的内部固定连接有过滤组件，过滤组件的内部设置有过滤板，过滤组件的下侧设置有移动框，移动框的内部固定连接有连接杆，连接杆的上表面固定连...
    2026-04-01
  • 一种用于地下水污染修复的气提装置
    一种用于地下水污染修复的气提装置_山东省煤田地质局第一勘探队_202310837017.1
    本发明公开了一种用于地下水污染修复的气提装置，其涉及气提领域，包括固定座，在所述固定座上固定有安装台与气提管，在所述气提管上固定有气提发生机构与过滤器。使用这种方法在气提装置对地下水进行抽取过程中，气提发生机构可自动对过滤器上藻类以及较大沙...
    2026-04-01
  • 一种绿色环保印刷光油及其制备方法
    一种绿色环保印刷光油及其制备方法_上海扬盛印务有限公司_202410432844.7
    本发明涉及一种绿色环保印刷光油及其制备方法，属于印刷光油技术领域。本发明中通过添加埃洛石纳米管，百里香酚，海藻酸钠的混合物，提升了印刷光油的稳定性，防潮性和耐磨性；本发明中通过添加羊毛脂和蜡乳液，起到提高印刷光油的印刷质量、增加印刷光油的耐...
    2026-04-01
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510039640.1
    本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制造方法。包括以下步骤：提供半导体衬底；在隔离区制作形成深沟槽隔离结构，深沟槽隔离结构的上表面高出有源区上表面特定高度；依次对高压器件区的有源区和高压器件区的深沟槽隔离结构靠近有...
    2026-04-01
  • 一种除杂式萤石浮选机
    一种除杂式萤石浮选机_永丰县天宝矿业有限公司_202520744882.6
    本实用新型公开了一种除杂式萤石浮选机，属于浮选机领域，隔离板和浮选仓的仓壁均安装有防护型隔离罩，防护型隔离罩的内部设有内凸条，内凸条的侧壁开设有第一插槽，防护型隔离罩的缺口处开设有第二插槽，第一插槽和第二插槽上插入连接有U型防护插板，通过U...
    2026-04-01
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311465723.4
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS区与PMOS区的衬底，衬底上形成有栅极结构、硬掩膜层、第一侧墙以及第一保护层或第二侧墙，NMOS区内的硬掩膜层的厚度大于PMOS区内的硬掩膜层的厚度；形成覆盖衬底的填充层；...
    2026-04-01
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