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  • 本发明涉及SDH光传输设备辅助技术领域,具体为一种便于调节的SDH光传输设备辅助装置,包括固定盒、移动装置和固定板,所述固定板上侧壁中心处设置有转动杆,所述移动装置包括限位盒、移动杆、辅助块和第一电机,所述限位盒上侧壁设置有滑动孔,所述辅助...
  • 本发明公开了一种优化无线局域网配置参数的方法及系统,包括:采集无线局域网络监控的所有配置参数运行传输速率最大带宽所形成数据传输量和实时配置参数运行传输速率最小带宽所形成数据传输量,在所述无线局域网络接上负载监测传感器,实时计算所述配置参数运...
  • 本发明公开一种基于元策略梯度的高速环境网络切换优化系统及方法,涉及无线通信技术领域,系统包括:数据收集模块,负责实时收集用户设备的网络环境和设备状态信息,进行预处理和过滤操作后输出;模型训练模块,采用基于元策略梯度的双层优化架构,利用历史数...
  • 本公开涉及网关与终端技术领域,公开了网关与终端的快速匹配方法和匹配系统,方法包括:采用多个网关扫描终端的广播信息,将每个网关扫描到的广播信息存入第一数据队列;若目标信号强度大于历史信号强度,将历史信号强度更新为目标信号强度;若目标信号强度的...
  • 本发明公开了一种基于大数据的移动互联网运行数据智能管理系统,涉及数据管理领域,包括运行智能管理中心,其中设置有数据采集模块、运行监测模块、大数据分析模块、运行协调模块以及智能管理模块;数据采集模块用于采集互联网基站数据、网络设备数据、设备状...
  • 本发明涉及一种用于智能工业设备的信号控制系统及其控制调节方法,所述方法包括:根据设备关键运行状态动态分配信号传输优先级;通过频谱感知生成工厂环境动态全局干扰地图;通过设备间去中心化数据融合实现全局干扰地图更新;根据信号的传输优先级和全局干扰...
  • 本发明提供一种SRAM器件的制备方法及栅极,栅极制备方法包括:提供衬底,并于衬底的一面形成多晶硅掺杂层,于多晶硅掺杂层上形成未掺杂的多晶硅层,对未掺杂的多晶硅层及多晶硅掺杂层进行刻蚀,得到间隔设置的第一栅极及第二栅极,其中,未掺杂的多晶硅层...
  • 一种制造半导体结构的方法,包含沉积第一介电层于基板上;沉积第二介电层于第一介电层上;形成电容器于第一介电层与第二介电层中;沉积第一绝缘层于第二介电层与电容器上;形成字元线结构于第一绝缘层上;沉积第二绝缘层于字元线结构上;形成通道洞于第二绝缘...
  • 本发明提供一种3D‑RRAM结构及其制备方法,采用后段电容工艺技术,可以作为未来40纳米以下工艺节点Flash嵌入式内存的替代品,其通过在贯穿介质层并裸露出底层金属层表面的凹槽内依次形成下电极层、固体电介质层及上电极层形成3D结构的RRAM...
  • 本申请提供了一种电容器、电容器的制备方法与半导体器件。该电容器包括衬底、第一介质层、导电插塞、底电极、顶电极与顶电极填充层,顶电极包覆底电极,底电极与顶电极之间设有第二介质层;顶电极包括硅氮化钛层。本申请提供的电容器通过提高顶电极的抗氧化能...
  • 本发明实施例提供一种电容及其形成方法,所述电容的形成方法包括:形成第一电极层、介质层以及第二电极层,所述介质层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间,所述介质层内包括Si‑H键和/或N‑H键;所述电容的形成方法还包括:对介质层进行处理,以打...
  • 本发明涉及一种场效应晶体管及其制备方法,包括绝缘基底,原位生长于绝缘基底上的二维材料Bi2O2Se沟道层,设置于二维材料Bi2O2Se沟道层上的第一电极...
  • 本发明提供一种半导体器件的制备方法,包括以下步骤:提供一设有浅沟槽隔离结构的衬底,衬底包括多个被浅沟槽隔离结构隔离的有源区,有源区上设有牺牲氧化层,形成阻挡结构于浅沟槽隔离结构上以阻挡掺杂离子进入浅沟槽隔离结构,阻挡结构包括氮化硅层及位于氮...
  • 本发明提供的一种CMOS器件及其制备方法,通过在N阱区和P阱区的不同位置处分别形成第一沟槽和第二沟槽,并结合多次外延工艺在第一沟槽和第二沟槽内依次形成多个硅锗外延层,其中,在第一沟槽的第二外延层中形成有PMOS晶体管的源极和漏极,在第二沟槽...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:形成位于逻辑区上的若干栅极结构、位于电阻区上的若干电阻结构、以及位于各栅极结构两侧的逻辑区内的源漏区,电阻结构和栅极结构均沿第一方向延伸,且若干电阻结构沿第一方向阵列排布;在衬底表面、若干栅极结构表面和若干电...
  • 本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种光伏组件制造方法。该光伏组件制造方法包括以下步骤对BC电池进行切割,并形成多个第一电池片和多个第二电池片。沿第一方向固定多条X丝;对奇数单元X丝或偶数单元X丝进行局部压扁并形成压扁处,对偶数单元X丝或奇数...
  • 本发明公开了一种耐低温柔性光伏玻璃及其制备方法,具体包括通过低温PECVD(≤80℃)沉积ITO导电层,在ITO层刻蚀孔隙率20%‑50%的蜂窝阵列,再利用碳点CD改性的耐低温高离子导电率的聚丙烯酰胺水凝胶均匀涂覆于刻蚀后的ITO表面,覆盖...
  • 本发明提供了一种光伏电池及其制备方法,涉及光伏技术领域。该方法包括:提供一衬底,衬底具有第一表面,第一表面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第三区域;在第一表面上堆叠功能层,其中,功能层包括第一掺杂含硅层和介质层;去除第...
  • 本发明提供了一种大樱桃栽培基质及其制备方法,涉及樱桃种植技术领域。大樱桃栽培基质包括按重量份数计的陶粒8‑15份,珍珠岩15‑20份,稻壳7‑12份,蚯蚓粪15‑20份,椰糠20‑30份和营养颗粒5‑10份;营养颗粒以秸秆纤维@岩棉‑海泡石...
  • 单不饱和脂肪酸的用途及低温保护剂。与现有技术相比,本申请通过在保存液中添加单不饱和脂肪酸,显著降低了细胞和组织在4℃低温保存中的损伤问题,单不饱和脂肪酸能够保护多种细胞的细胞膜完整性,减少低温保存引起的裂解。提高了保存液的保护性能,延长了细...
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