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最新专利技术
  • 结合物联网智能设备的远程康复监测方法及系统
    结合物联网智能设备的远程康复监测方法及系统_苏州元数集医疗科技有限公司_202510566629.0
    本申请提供了结合物联网智能设备的远程康复监测方法及系统，涉及视觉检测技术领域，通过物联网传感模组监测获取用户康复训练视频和训练伴随体征数据；根据用户特征对基准康复训练视频进行风险干涉补偿，获取优化基准视频对用户康复训练视频进行多节点姿态联合...
    2025-12-03
  • 一种冠心病患者综合健康管理数据处理系统
    一种冠心病患者综合健康管理数据处理系统_西藏民族大学附属医院_202510560651.4
    本发明属于医疗健康技术领域，具体涉及一种冠心病患者综合健康管理数据处理系统；通过引入多病种联合管理模型层和分级预警与响应模块，能够高效监测并诊断冠心病患者的多个合并症管理，能清晰展现冠心病与高血压、糖尿病等多种疾病之间的因果关系、并发模式和...
    2025-12-03
  • 屏蔽层结构、具有屏蔽层结构的线缆以及屏蔽层制备方法
    屏蔽层结构、具有屏蔽层结构的线缆以及屏蔽层制备方法_深圳达为互联科技有限公司_202510565401.X
    本发明涉及一种屏蔽层结构、具有屏蔽层结构的线缆以及屏蔽层制备方法，包括依次层叠并通过复合胶层固定连接的第一绝缘层、导电层和第二绝缘层。其中，第一绝缘层内嵌设有一条或两条沿其长度方向延伸的金属条，所述金属条与导电层直接电接触，使屏蔽层同时具备...
    2025-12-03
  • 一种合金电阻及其制备方法
    一种合金电阻及其制备方法_普森美微电子技术(苏州)有限公司_202510563580.3
    本发明公开了一种合金电阻及其制备方法，合金电阻包括位于合金片材上的电极、第一防焊层、第二防焊层和第三防焊层，所述第一防焊层、第二防焊层、第三防焊层位于两个所述电极之间，所述第二防焊层、第三防焊层位于所述第一防焊层的上方，所述第二防焊层包括第...
    2025-12-03
  • 烧结钐钴磁体及其制备方法
    烧结钐钴磁体及其制备方法_包头稀土研究院_202510564191.2
    本发明公开了一种烧结钐钴磁体及其制备方法。本发明的烧结钐钴磁体的制备方法，包括以下步骤：1)按照烧结钐钴磁体的化学组成提供所需合金原料，将合金原料熔炼，制得合金铸锭；2)将合金铸锭进行粗破碎，获得中碎粉，然后将中碎粉磨成平均粒径D...
    2025-12-03
  • 一种磁粉芯及其制备方法
    一种磁粉芯及其制备方法_江门市宏佳新材料科技有限公司_202510564608.5
    本发明公开了一种磁粉芯及其制备方法，所述磁粉芯的制备方法包括制备气雾化铁硅软磁粉末、绝缘包覆、压制成型和退火热处理等四个步骤。其中，通过气雾化工艺制备铁硅软磁粉末，使得铁硅软磁粉末具有很好的软磁性能，并具有价格低廉、高磁导率、高电阻率、低矫...
    2025-12-03
  • 一种NiCo2O4@C核壳纳米线电极材料的制备方法与应用
    一种NiCo<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>@C核壳纳米线电极材料的制备方法与应用_江苏师范大学_202510564633.3
    本发明公开了一种NiCo2O4@C核壳纳米线电极材料的制备方法与应用。将六水氯化钴、六水氯化镍、十二烷基硫酸钠和尿素溶解于水中，得到前驱体溶液，将碳纤维布浸没在前驱体溶液中，进行水热反应；冷却至室...
    2025-12-03
  • 一种实时监测热膨胀压力的自能式断路器装置及监测方法
    一种实时监测热膨胀压力的自能式断路器装置及监测方法_国网上海市电力公司_202510561106.7
    本发明涉及一种实时监测热膨胀压力的自能式断路器装置及监测方法，包括：壳体、动触头、静触头、辅助喷口、主喷口、拉杆、底座和无线传输模块。其中动触头、静触头和主喷口分别对应形成动触头层、静触头层和喷口层，动触头层监测点位于动触头与辅助喷口狭缝处...
    2025-12-03
  • 电缆浮子式液位开关测量系统
    电缆浮子式液位开关测量系统_广西防城港核电有限公司_202510571973.9
    本发明涉一种电缆浮子式液位开关测量系统，所述液位开关测量系统包括外壳和内壳；所述内壳设置在所述外壳中，以将所述外壳内部分为上部分和下部分；所述上部分设有微动开关单元，所述微动开关单元设有导磁元件，所述下部分设有浮子单元，所述浮子单元一端设有...
    2025-12-03
  • 减少膜层刻蚀棒状颗粒缺陷的方法
    减少膜层刻蚀棒状颗粒缺陷的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510572437.0
    本发明公开了一种减少膜层刻蚀棒状颗粒缺陷的方法，包括：步骤一、在刻蚀腔内部暴露的表面形成零件涂层。步骤二、将形成有第一膜层的晶圆放置在静电卡盘上并通过静电吸附固定，之后完成第一膜层的刻蚀工艺。步骤三、进行晶圆释放，晶圆释放过程中，用于提供静...
    2025-12-03
  • 通孔金属化方法以及金属化玻璃基板
    通孔金属化方法以及金属化玻璃基板_中科同德微电子科技(大同)有限公司_202510570317.7
    本申请提供一种通孔金属化方法以及金属化玻璃基板，该方法可以包括：在玻璃基板上形成通孔；清洗玻璃基板上的通孔；将金属导电浆料填充至通孔中；将预处理的金属导电件埋入填充后的通孔；对埋入后的玻璃基板进行梯度烧结，在玻璃基板上形成金属化的通孔。如此...
    2025-12-03
  • 用于LECO晶硅太阳能电池的漏电异常分析方法
    用于LECO晶硅太阳能电池的漏电异常分析方法_芜湖协鑫集成新能源科技有限公司_202510567758.1
    本申请公开用于LECO晶硅太阳能电池的漏电异常分析方法，包括如下步骤：取漏电电池片，获取其初始电性能数据及初始正面EL图片；获取漏电电池片的初始正面红外热成像图片；将漏电电池片放入烧结炉内进行烧结；获取漏电电池片的烧结后电性能数据及烧结后正...
    2025-12-03
  • 加热装置和加热设备
    加热装置和加热设备_江苏元夫半导体科技有限公司_202510562529.0
    本申请涉及一种加热装置和加热设备，加热装置包括基座、中央旋转模块以及多个加热模块：中央旋转模块包括旋转件和多个第一传动件，旋转件可自转地设置在基座上；多个加热模块环绕旋转件，且沿晶圆的径向可移动地设置在基座上；其中，第一传动件的两端分别可转...
    2025-12-03
  • 晶圆加工装置和晶圆加工设备
    晶圆加工装置和晶圆加工设备_江苏元夫半导体科技有限公司_202510562530.3
    本申请涉及一种晶圆加工装置和晶圆加工设备，晶圆加工装置包括基座、驱动模块、加热模块以及遮挡单元。驱动模块包括旋转件，旋转件可自转地设置在基座上；加热模块沿晶圆的径向可移动地设置在基座上；遮挡单元沿晶圆的径向可移动地设置在基座上，遮挡单元用于...
    2025-12-03
  • 一种用于半导体生产的设备端晶圆缓存系统
    一种用于半导体生产的设备端晶圆缓存系统_上海铠铂云信息科技有限公司_202510577432.7
    本发明公开了一种用于半导体生产的设备端晶圆缓存系统，具体涉及半导体制造设备领域，包括任务初始化模块、智能调度模块、圆盒运输模块、缓存调度模块、异常处理模块以及任务反馈模块；任务初始化模块：生产管理系统MES根据生产计划生成晶圆盒搬运任务；智...
    2025-12-03
  • 一种半导体加工精准定位气浮平台
    一种半导体加工精准定位气浮平台_武汉市善银科技有限公司_202510561843.7
    本发明涉及半导体技术的领域，公开了一种半导体加工精准定位气浮平台，包括：承载座，所述承载座上滑动安装有第一气浮平台，所述第一气浮平台上滑动安装有第二气浮平台，且第一气浮平台和第二气浮平台运行方向互相垂直，本发明通过设置上料区，当第一气浮平台...
    2025-12-03
  • 一种晶圆检测用自动取放片控制系统及方法
    一种晶圆检测用自动取放片控制系统及方法_南京工程学院_202510561886.5
    本发明公开了一种晶圆检测用自动取放片控制系统及方法，属于晶圆加工技术领域。系统包括：取放片单元、旋转单元、升降单元及控制器。取放片单元、旋转单元及升降单元均与所述控制器电性连接。取放片单元安装在旋转单元上，用于在旋转单元的带动下实现水平方向...
    2025-12-03
  • 一种薄板类产品耐高温真空载台
    一种薄板类产品耐高温真空载台_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202510561581.4
    本发明提供了一种薄板类产品耐高温真空载台，其能够可靠适配高温环境作业，且当产品形状发生改变时，吸附模组可再次利用进行组装真空载台，降低了真空载台的制作成本。其包括：底座，其仿形于薄板类产品的面域进行制作，所述底座的面域上排布有若干定位连接孔...
    2025-12-03
  • 一种晶圆翻转机构
    一种晶圆翻转机构_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202510568508.X
    本发明属于半导体材料加工设备技术领域，公开一种晶圆翻转机构。晶圆翻转机构包括真空腔室、翻转组件和两组夹持组件，翻转组件包括第一驱动件和转动座，第一驱动件固定于真空腔室外，第一驱动件的输出端伸入真空腔室内并用于驱动转动座转动；两组夹持组件均穿...
    2025-12-03
  • 接触孔的制造方法
    接触孔的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510572459.7
    本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括：步骤一、进行刻蚀形成接触孔开口。步骤二、进行第一次钨沉积形成第一钨层，在部分接触孔开口的顶部具有缩颈形貌并形成钨未完全填充的缝隙。步骤三、进行第一次CMP到底层结构的顶部表面之下的第一目标位置，第一次...
    2025-12-03
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