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最新专利技术
  • 一种微米级别高效的散热器冷板
    一种微米级别高效的散热器冷板_福州菩晶半导体有限公司_202510700156.9
    本发明公开了一种微米级别高效的散热器冷板，包括设备主体，所述设备主体包括盖子，所述盖子的顶部安装有螺丝垫片，所述盖子的顶部固定连接有接口，所述盖子的底部设置有分流板与热沉板，所述盖子与分流板之间安装有密封圈，所述热沉板的内部设置有加热器，所...
    2026-01-19
  • 一种集成晶闸管的低米勒电容FD-IGBT器件
    一种集成晶闸管的低米勒电容FD-IGBT器件_重庆邮电大学_202510698756.6
    本发明涉及一种集成晶闸管的低米勒电容FD‑IGBT器件，属于半导体技术领域，以解决现有技术中米勒电容高、短路易闩锁及关断损耗大的问题。技术方案包括：在主NMOS区旁集成晶闸管结构及寄生NMOS区，晶闸管由NPN与PNP晶体管互连构成，寄生N...
    2026-01-19
  • 一种集成了用集电极和发射极控制的自偏置NMOS的RC-LIGBT器件
    一种集成了用集电极和发射极控制的自偏置NMOS的RC-LIGBT器件_重庆邮电大学_202510698768.9
    本发明涉及一种集成了用集电极和发射极控制的自偏置NMOS的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。针对传统RC‑LIGBT存在的Snapback效应、反向导通能力弱及关断损耗高的问题，提出以下方案：在阳极集成自偏置NMOS栅压控制区，通过...
    2026-01-19
  • IGBT晶圆结构及其形成方法、临时键合结构
    IGBT晶圆结构及其形成方法、临时键合结构_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202510700888.8
    本发明提供了一种IGBT晶圆结构及其形成方法、临时键合结构，所述IGBT晶圆结构包括IGBT衬底、顶层金属层、无机钝化层、有机钝化层及ID标记，所述顶层金属层、所述无机钝化层及所述有机钝化层依次层叠于所述IGBT衬底上，其中，所述IGBT衬...
    2026-01-19
  • CMOS欧姆接触工艺兼容的金刚石MOSFET器件及其制备方法
    CMOS欧姆接触工艺兼容的金刚石MOSFET器件及其制备方法_西安电子科技大学_202510701804.2
    本发明公开了一种CMOS欧姆接触工艺兼容的金刚石MOSFET器件及其制备方法，包括：S1、选取金刚石衬底并在其上同质外延生长本征金刚石层；S2、制备掩模，通过硼离子注入在本征金刚石层上的源极区域和漏极区域形成硼掺杂金刚石层；S3、在样品表面...
    2026-01-19
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202510702330.3
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法,半导体器件包括元胞区和位于元胞区外侧的终端区，制造方法包括：提供基底，在元胞区的基底形成有多个第一沟槽，终端区形成有第二沟槽，在第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底部形成有衬垫层和第一栅极材料层；形成保护层，至...
    2026-01-19
  • 一种具有复合电极的非对称沟槽SiC MOSFET器件
    一种具有复合电极的非对称沟槽SiC MOSFET器件_重庆邮电大学_202510698752.8
    本发明涉及一种具有复合电极的非对称沟槽SiC MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件针对传统SiC MOSFET中比导通电阻与击穿电压矛盾、反向导通时体二极管导通导致恢复电荷大及高频性能受限的问题，提出在N+衬底上依次构建N‑Dr...
    2026-01-19
  • 高深宽比碳化硅超结器件及制备方法和应用
    高深宽比碳化硅超结器件及制备方法和应用_电子科技大学_202510699172.0
    本发明提供一种高深宽比碳化硅超结器件及制备方法和应用，器件结构包括：阴极金属、N+衬底、N‑漂移区、下P柱区、上P柱区、P+接触区、阳极金属；本发明所提出的碳化硅超结器件，通过深槽刻蚀‑外延回填与离子注入相结合的方式，解决了常规的离子注入工...
    2026-01-19
  • 一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备
    一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备_山东天岳先进科技股份有限公司_202510701883.7
    本申请公开了一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备，属于碳化硅加工技术领域。所述碳化硅衬底具有C型倒角，所述C型倒角处的表面粗糙度小于0.5μm，硅面和碳面的倒角表面粗糙度的差值绝对值小于0.1μm。本发明通过激光...
    2026-01-19
  • 一种显示面板及其制备方法、显示装置
    一种显示面板及其制备方法、显示装置_厦门天马微电子有限公司_202510696581.5
    本申请提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括第一绝缘层，第一绝缘层位于衬底的一侧。第一金属层包括多条沿第一方向排布的第一信号线。第二金属层位于平坦层远离衬底的一侧；在绑定区内，平坦层包括第一凹槽，第一凹槽内包括至少部分第一绝...
    2026-01-19
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202510703548.0
    本申请提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括像素电路和发光元件。像素电路包括多个晶体管，晶体管包括有源层和栅极，有源层包括源漏搭接区、过渡区和沟道区，沟道区和栅极交叠设置，过渡区位于源漏搭接区和沟道区之间。过渡区的离子掺杂浓度与沟道区和源...
    2026-01-19
  • 一种提高CMOS图像传感器像素性能的工艺方法
    一种提高CMOS图像传感器像素性能的工艺方法_格科半导体(上海)有限公司_202510703404.5
    本发明公开了一种提高CMOS图像传感器像素性能的工艺方法，至少包含以下步骤：步骤S1，提供一P型衬底，在所述P型衬底上生长第一外延层；步骤S2，在所述第一外延层上生长N型外延层；自所述第一外延层起沿着所述N型外延层的生长方向，所述N型外延层...
    2026-01-19
  • 一种电池串生产方法及装置
    一种电池串生产方法及装置_宁夏小牛自动化设备股份有限公司_202510696869.2
    本发明涉及光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种电池串生产方法及装置；通过将多分段焊带组成的焊带布设单元进行定位的同时和多个电池片与焊带紧密贴合，再通过将焊带调节与电池片接触，确保焊接过程中焊带与电池片无相对位移，从而实现高精度焊接，并且通过优...
    2026-01-19
  • 太阳电池栅线的制备方法及太阳电池栅线、太阳电池
    太阳电池栅线的制备方法及太阳电池栅线、太阳电池_上海先稼半导体科技有限公司_202510701748.2
    本发明公开了一种太阳电池栅线的制备方法及太阳电池栅线、太阳电池，方法包括在晶圆的接触层表面形成光刻胶层；采用光刻工艺，在光刻胶层形成多条剖面为矩形的第一镂空部；采用湿法蚀刻工艺对第一镂空部下方的接触层向下进行蚀刻，在接触层形成多条第二镂空部...
    2026-01-19
  • 一种空间用太阳电池组件
    一种空间用太阳电池组件_六智韬新能源科技(上海)有限公司_202510702595.3
    本发明公开了一种空间用太阳电池组件，至少包括电连接的第一电池片和第二电池片；第一电池片和第二电池片的表面均设有若干缓冲型金属正电极、负电极；第一电池片的至少部分缓冲型金属正电极与第二电池片的至少部分缓冲型金属负电极之间贯通连接有金属互联带，...
    2026-01-19
  • 一种LED封装方法、封装模块
    一种LED封装方法、封装模块_南昌大学_202510694096.4
    本发明公开了一种LED封装方法包括：准备键合有LED芯片的封装支架，其中封装支架的本体上设有用于容置LED芯片的凹陷；准备液体转移系统，使用液体转移系统将第一液态聚合物转移至封装支架的凹陷中；使用液体转移系统将第二液态聚合物转移至第一液态聚...
    2026-01-19
  • 芯片的转移与键合方法、显示器的制备方法及显示器
    芯片的转移与键合方法、显示器的制备方法及显示器_厦门大学_202510700149.9
    本发明涉及巨量转移与键合技术领域，公开了一种芯片的转移与键合方法、显示器的制备方法及显示器，方法包括：提供驱动基板和目标晶圆，驱动基板的一侧表面具有多个阵列设置的键合凸点；在驱动基板靠近键合凸点的一侧涂覆下填胶，并进行第一烘烤处理，使下填胶...
    2026-01-19
  • 拼接显示装置
    拼接显示装置_友达光电股份有限公司_202510697838.9
    一种拼接显示装置，包含多个显示面板，各显示面板包含呈阵列排列的多个像素单元，各像素单元包含X个接垫及Y个发光元件，X及Y为正整数，且 2026-01-19
  • 双面显示器
    双面显示器_友达光电股份有限公司_202510697832.1
    一种双面显示器，包括第一基板、第二基板、电路结构、反射层、多个第一像素、多个第二像素以及隔离结构。第二基板重叠于第一基板。电路结构以及反射层分别形成于第一基板以及第二基板之上。各第一像素包括接合至电路结构的第一发光二极管。电路结构被配置成至...
    2026-01-19
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_苏州大学_202510700860.4
    本申请公开一种太阳能电池及其制备方法，涉及光电器件制造技术领域。太阳能电池包括叠层载流子传输结构，叠层载流子传输结构为电子传输叠层结构或空穴传输叠层结构，叠层载流子传输结构包括由下至上依次层叠布置的衬底、第一传输层、功能修饰层和第二传输层，...
    2026-01-19
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