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最新专利技术
  • 引线框封装结构及其封装方法
    引线框封装结构及其封装方法_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511341087.3
    本申请公开一种引线框封装结构及其封装方法， 涉及半导体技术领域， 包括基岛和多个引脚本体， 基岛的顶面贴装有第一芯片， 第一芯片与引脚本体通过打线连接， 第一芯片、引脚本体靠近第一芯片的第一端和打线的外侧包覆有塑封体， 塑封体的顶面设置有天...
    2025-12-06
  • 一种PI改进转接板、改进方案确定方法、介质及设备
    一种PI改进转接板、改进方案确定方法、介质及设备_沐曦集成电路(上海)股份有限公司_202410436099.3
    本发明涉及芯片封装测评领域， 特别是涉及一种PI改进转接板、改进方案确定方法、介质及设备。包括：转接板本体， 在转接板本体的上下表面均设置焊球连接点；焊球连接点用于与连接焊球进行电性连接；至少一个深沟槽电容， 连接于转接板本体高压降供电区域...
    2025-12-06
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202410502704.2
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元， 包括载板、至少两个裸晶、第一介电层、第二介电层、多条导接线路及外护层， 各导接线路由填注于该第一介电层的多条第一凹槽与该第二介电层的多条第二凹槽内的金属膏所构成， 各导接线路的一端是与各裸晶的多个晶垫电...
    2025-12-06
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202410502997.4
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元， 包括载板、裸晶、第一介电层、第二介电层、多条导接线路及外护层， 其中各导接线路是由填注于该第一介电层的多条第一凹槽与该第二介电层的多条第二凹槽内的金属膏所构成， 各导接线路的一端是与该裸晶的多个晶垫电性...
    2025-12-06
  • 基板结构及封装体
    基板结构及封装体_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202510998877.2
    本发明涉及半导体技术领域， 提供一种基板结构及封装体。上述的基板结构包括：芯板、一对第一绝缘介质层、中介层、一对第一导电层和多个第一导电柱， 一对第一绝缘介质层设置于芯板的两侧；中介层嵌设于芯板内， 或嵌设于至少一个第一绝缘介质层内， 中介...
    2025-12-06
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202510998935.1
    一种半导体封装件， 所述半导体封装件包括：绝缘基底， 包括第一平坦部和从第一平坦部的一侧沿水平方向延伸的第一阶梯部， 其中， 第一阶梯部在竖直方向上具有随着远离第一平坦部而从第一平坦部的第一厚度逐级增大的厚度， 以限定多个第一台阶；多个第一...
    2025-12-06
  • 集成电路的互连结构中的电容器
    集成电路的互连结构中的电容器_台湾积体电路制造股份有限公司_202510261408.2
    本申请公开了集成电路的互连结构中的电容器。公开了一种半导体结构和制造该结构的方法。半导体结构包括：衬底；器件层， 设置在衬底上；电源线， 设置在器件层上；第一电容器电路；第二电容器电路；以及控制电路， 设置在电源线上， 并且被配置为控制第一...
    2025-12-06
  • 一种转接板及其制备工艺
    一种转接板及其制备工艺_沐曦集成电路(上海)股份有限公司_202410436110.6
    本发明涉及芯片封装领域， 尤其涉及一种转接板及其制备工艺。包括：多个RDL、多个介质层及至少一个深槽电容， 多个RDL间隔设置， 多个介质层分别填充至多个RDL之间的间隙中， 形成转接板主体；深槽电容嵌设于转接板主体中， 正极板与转接板主体...
    2025-12-06
  • 半导体封装结构及电子设备
    半导体封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202410520555.2
    本申请的实施例提供了一种半导体封装结构及电子设备， 涉及半导体技术领域， 用于降低半导体结构的面积成本。该半导体封装结构包括：封装基板、逻辑芯片和多个功能芯片。其中， 功能芯片包括多个第一外连部， 多个第一外连部暴露于功能芯片背离逻辑芯片的...
    2025-12-06
  • 一种三维芯片封装结构、制备方法及电子设备
    一种三维芯片封装结构、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410545009.4
    本申请公开了一种三维芯片封装结构、制备方法及电子设备， 包括基板和芯片堆叠结构， 芯片堆叠结构包括堆叠设置的多个芯片组， 相邻芯片组固定连接。每个芯片组包括堆叠设置的第一芯片和第二芯片， 同一芯片组中的第一芯片的有源面的布线层和第二芯片的有...
    2025-12-06
  • 半导体模块及电子设备
    半导体模块及电子设备_海信家电集团股份有限公司_202411615213.5
    本申请公开了一种半导体模块及电子设备， 半导体模块包括：壳体， 所述壳体上设置有多个外部端子；基板， 设置于所述壳体内， 所述基板上设置有上芯区和跳线区；多个逆变芯片；刹车芯片；整流芯片；其中， 多个逆变芯片、刹车芯片和整流芯片设置于上芯区...
    2025-12-06
  • 一种基板及其制造方法、芯片
    一种基板及其制造方法、芯片_海光信息技术股份有限公司_202510809233.4
    本发明实施例公开了一种基板及其制造方法、芯片， 涉及集成电路封装技术领域， 能够在节省基板布线空间的同时， 使信号通路的阻抗调整更为简便。所述基板， 包括：支撑板；互连机构， 嵌入并贯穿所述支撑板；所述互连机构包括第一金属结构、第二金属结构...
    2025-12-06
  • 功率模块及其并联芯片动态电流的均衡方法与制造方法
    功率模块及其并联芯片动态电流的均衡方法与制造方法_浙江大学_202510949633.5
    本公开提供了一种功率模块及其并联芯片动态电流的均衡方法与制造方法， 该功率模块包括：基板的第一布线， 用于构成多个下桥臂功率芯片的源极路径；并联的多个下桥臂功率芯片， 位于基板上， 还包括叠层结构， 位于第一布线上， 叠层结构包括：顶部导电...
    2025-12-06
  • 基于ED3封装形式的功率模块
    基于ED3封装形式的功率模块_江苏索力德普半导体科技有限公司_202510986005.4
    本发明提供一种基于ED3封装形式的功率模块， 包括基板单元、第一芯片单元及第二芯片单元。基板单元包括分离设置的第一金属层与第二金属层。第一芯片单元设置于第一金属层， 包括分列设置的第一芯片组及第二芯片组。第二芯片单元设置于第二金属层， 包括...
    2025-12-06
  • 一种转接板、芯片、电子设备及转接板的制造方法
    一种转接板、芯片、电子设备及转接板的制造方法_海光信息技术股份有限公司_202511021293.6
    本发明实施例公开一种转接板、芯片、电子设备及转接板的制造方法， 涉及集成半导体技术领域， 能够有效提高转接板的良率。所述转接板包括：衬底；互连层， 设置于所述衬底上；衬垫层， 设置于所述互连层上， 包括第一电源衬垫、修复衬垫、第一测试衬垫以...
    2025-12-06
  • 测试结构、测试结构的形成方法及测试方法
    测试结构、测试结构的形成方法及测试方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410526156.7
    本发明提供一种测试结构、测试结构的形成方法以及测试方法， 其中测试结构包括：衬底， 位于所述衬底内的第一凹槽；位于所述衬底内的第二凹槽， 所述第二凹槽环绕所述第一凹槽， 所述第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度；位于所述第一凹槽的侧壁和底部表面...
    2025-12-06
  • 检测离子注入相位偏差的测试结构和测试方法
    检测离子注入相位偏差的测试结构和测试方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510776479.6
    本申请公开了一种用于检测离子注入相位偏差的测试结构和方法。该测试结构包括对称设置在一个中心区域周围的多个测试区域， 多个测试区域各自形成为至少一个测试器件的一部分， 该测试器件的电学特性对测试区域相对于离子注入形成区域的位置敏感。该方法包括...
    2025-12-06
  • 半导体测试结构及测试方法
    半导体测试结构及测试方法_广州增芯科技有限公司_202511000456.2
    本申请提供一种半导体测试结构及测试方法， 半导体测试结构包括：依次层叠嵌入设置在金属层间介质中的第一金属层、第二金属层、第三金属层；所述第一金属层包括依次间隔设置的第一金属条、第二金属条、第三金属条；所述第二金属层包括分别位于所述第一金属条...
    2025-12-06
  • 电容器及其形成方法、电子设备
    电容器及其形成方法、电子设备_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410509979.9
    本发明公开了一种电容器及其形成方法、电子设备， 所述电容器包括基底；位于所述基底上的薄膜层；位于所述薄膜层上的第一金属层， 所述第一金属层内具有若干预设开口；所述预设开口的形状由矩形以及位于所述矩形侧壁上的若干凸起组成；位于所述预设开口内的...
    2025-12-06
  • 半导体设备封装和其制造方法
    半导体设备封装和其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202510956034.6
    本公开提供了一种半导体设备封装和其制造方法。所述半导体设备封装包含天线层、第一电路层和第二电路层。所述天线层具有第一热膨胀系数CTE。所述第一电路层安置在所述天线层之上。所述第一电路层具有第二CTE。所述第二电路层安置在所述天线层之上。所述...
    2025-12-06
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