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最新专利技术
  • 一种激光器及电子设备
    一种激光器及电子设备_深圳市聚飞光电股份有限公司_202510972837.0
    本申请属于激光技术领域， 尤其涉及一种激光器及电子设备， 激光器包括基板、罩设于所述基板并与所述基板之间形成容纳腔的光学组件、以及位于所述容纳腔中的基座和激光芯片， 所述基座包括顶面设置有所述激光芯片的水平基座和倾斜基座， 所述基座的底面设...
    2025-12-03
  • 一种SMD功率极白激光器件
    一种SMD功率极白激光器件_福建天电光电有限公司_202511161158.1
    本发明公开了一种SMD功率极白激光器件， 属于激光发射器技术领域， 包括SMD支撑构件、安装支架、边发射蓝色激光芯片和波长转换装置， SMD支撑构件包括SMD基座和环状支撑， SMD基座的散热面用于安装在散热装置上， 环状支撑安装在SMD基...
    2025-12-03
  • 一种VCSEL芯片器件的封装方法
    一种VCSEL芯片器件的封装方法_西安瑞芯光通信息科技有限公司_202511026347.8
    本发明提供一种VCSEL芯片器件的封装方法， 涉及半导体激光器封装技术领域。该方法首先在已完成正面电极的VCSEL晶圆背面， 利用晶圆级UV纳米压印一次性复制微透镜阵列， 使微透镜光学中心与发光单元有源区中心自对准， 同时实现光束整形与晶圆...
    2025-12-03
  • 一种陶瓷热沉、大功率光源COC及硅光模块和组装方法
    一种陶瓷热沉、大功率光源COC及硅光模块和组装方法_武汉钧恒科技有限公司_202510841787.2
    本发明涉及一种陶瓷热沉， 陶瓷基板的上表面上于居中位置固定T型焊盘、于T型焊盘左侧相应位置固定第一焊盘和第二焊盘以及于T型焊盘右侧相应位置固定第三焊盘以及第四焊盘。一种大功率光源COC， DFB芯片沿纵向分布并共晶贴片在陶瓷热沉的T型焊盘上...
    2025-12-03
  • 一种激光冷水机
    一种激光冷水机_广州特域机电有限公司_202510949834.5
    本发明公开了一种激光冷水机， 包括压缩机、散热风机、整流装置、激光器冷却水供给管路、冷媒冷凝管路、盘管蒸发器换热管路、前置蒸发器换热管路、板式换热器换热管路、冷却容器和冷却介质供应装置；所述冷媒冷凝管路上设置有冷凝器；所述盘管蒸发器换热管路...
    2025-12-03
  • 一种电极镀膜工艺优化方法和电极结构
    一种电极镀膜工艺优化方法和电极结构_武汉光迅科技股份有限公司_202410521523.4
    本发明提供了一种电极镀膜工艺优化方法和电极结构， 在衬底上制作钛层， 并对钛层进行氧化处理， 在钛层上形成氧化钛薄膜， 而后在氧化钛薄膜上制作金层， 得到钛金结构的电极， 最后对钛金结构的电极进行退火工艺， 其中， 所述氧化钛薄膜用于将钛层...
    2025-12-03
  • 激光器的温度调整方法及装置
    激光器的温度调整方法及装置_清华大学合肥公共安全研究院_202511337962.0
    本发明涉及激光器技术领域， 公开了一种激光器的温度调整方法及装置， 所述方法包括：基于预先确定的温度补偿系数、第一环境温度、第二环境温度和第一热敏电阻温度确定第二热敏电阻温度， 以使热敏电阻在第二环境温度下的温度调整为第二热敏电阻温度；其中...
    2025-12-03
  • 用于半导体光源信号稳定与噪声抑制的闭环控制系统
    用于半导体光源信号稳定与噪声抑制的闭环控制系统_电子科技大学_202510957746.X
    本发明公开了用于半导体光源信号稳定与噪声抑制的闭环控制系统， 涉及光探测领域， 包括：获取线性偏振激光与输入电信号， 并对线性偏振激光进行过滤， 获取过滤后的激光；依据激光获取目标电信号与参考信号；依据参考信号生成对比信号， 依据对比信号对...
    2025-12-03
  • 光子晶体激光面内发射装置、其发射方法及系统
    光子晶体激光面内发射装置、其发射方法及系统_中国科学院物理研究所_202510986280.6
    本发明提供了一种光子晶体激光面内发射装置、其发射方法及系统， 通过推导波矢关系的方法， 以实现激光的面内发射。本发明的基于光子晶体的面内发射装置， 提高了其在光学系统中的适配性， 增强光子器件的集成能力。不仅能够应用在传统半导体材料、二维半...
    2025-12-03
  • 一种垂直腔面发射激光器小阵列结构
    一种垂直腔面发射激光器小阵列结构_深圳技术大学_202510964247.3
    本发明公开一种垂直腔面发射激光器小阵列结构， 包括自下而上依次设置的负电极层、N型GaAs衬底、下层N型DBR、有源区层、电子阻挡层、孔径氧化限制层、上层P型DBR、小阵列结构和聚合物透镜层；有源区层包括两组啁啾量子阱， 每组啁啾量子阱的两...
    2025-12-03
  • 垂直腔表面发射激光器的偏振取向和光学模式的独立控制
    垂直腔表面发射激光器的偏振取向和光学模式的独立控制_朗美通经营有限责任公司_202510513914.6
    本公开涉及垂直腔表面发射激光器的偏振取向和光学模式的独立控制。在一些实施方式中， 一种VCSEL包括第一盖层和第二盖层。第一盖层包括半导体材料， 并且设置在VCSEL的限制孔之上。第二盖层包括介电材料， 并且设置在VCSEL的限制孔之上。偏...
    2025-12-03
  • 垂直腔面发射激光器元件
    垂直腔面发射激光器元件_日亚化学工业株式会社_202510518694.6
    本发明的目的在于提供一种改善了驱动时间的垂直腔面发射激光器元件。垂直腔面发射激光器元件具备：第一光反射层；第一半导体层部， 其配置在所述第一光反射层之上， 包含第一导电型的第一杂质；第二半导体层部， 其包含第二导电型的第二杂质；活性层， 其...
    2025-12-03
  • 一种基于复合金属衬底和光子晶体的垂直腔面发射激光器
    一种基于复合金属衬底和光子晶体的垂直腔面发射激光器_深圳技术大学_202510964191.1
    本发明涉及半导体激光器领域， 公开了一种基于复合金属衬底和光子晶体的垂直腔面发射激光器， 包括自下而上依次设置的：CIC复合金属衬底， GaAs缓冲层， 下层n型DBR， n型接触层， 多结级联有源区， p型接触层和上层p型DBR；上层p型...
    2025-12-03
  • 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法和光学设备
    一种垂直腔面发射激光器及其制备方法和光学设备_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202511050020.4
    本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法和光学设备。该垂直腔面发射激光器包括有源区以及位于有源区的至少一侧的分布式布拉格反射镜；分布式布拉格反射镜包括多个第一折射率层、多个第二折射率层和多个铝组分渐变层；第一折射率层和第二折射率层交替...
    2025-12-03
  • 一种激光芯片制备方法、激光芯片及光模块
    一种激光芯片制备方法、激光芯片及光模块_青岛联智光通信技术有限公司_202410442333.3
    本公开提供的激光芯片制备方法、激光芯片及光模块中， 包括：在衬底上生长激光器外延层；在激光器外延层上刻蚀出初始调制区域， 以在初始调制区域的侧边形成初始发光区；在初始调制区域生长调制器外延层， 调制外延层与初始发光区的对接处形成初始对接区；...
    2025-12-03
  • 一种激光芯片制备方法、激光芯片及光模块
    一种激光芯片制备方法、激光芯片及光模块_青岛联智光通信技术有限公司_202410444334.1
    本公开提供的激光芯片制备方法、激光芯片及光模块中， 激光芯片包括：发光区， 用于产生光， 所述发光区设置有第一脊波导， 所述第一脊波导的一侧设置第一沟槽， 所述第一脊波导的另一侧设置第二沟槽；调制区， 用于对所述发光区产生的光进行调制， 所...
    2025-12-03
  • 一种卤化铅钙钛矿微型激光器的飞秒激光制备方法
    一种卤化铅钙钛矿微型激光器的飞秒激光制备方法_武汉理工大学三亚科教创新园_202510880746.4
    本发明属于微型激光器技术领域， 公开了一种卤化铅钙钛矿微型激光器的飞秒激光制备方法。该制备方法包括步骤：S1、将基底进行预处理；S2、制备二氧化钛薄膜；S3、在二氧化钛薄膜上制备卤化铅钙钛矿薄膜；S4、另外制备单层的二氧化钛薄膜和卤化铅钙钛...
    2025-12-03
  • 一种红蓝复合同轴激光装置
    一种红蓝复合同轴激光装置_江苏希里斯激光光子技术有限公司_202511328303.0
    本发明提供一种红蓝复合同轴激光装置， 包括红外光激光器、N个蓝光激光器和合束器， 红外光激光器通过红外光传输光纤与合束器连接， N个蓝光激光器分别通过N根蓝光传输光纤与合束器连接；合束器包括第一入射光纤、N根第二入射光纤和同轴复合光纤， 第...
    2025-12-03
  • 一种光纤触发伪火花开关
    一种光纤触发伪火花开关_北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)_202510980692.9
    本发明提供一种光纤触发伪火花开关， 包括阴极组件， 产生初始电子；与阴极组件间隔设置的阳极组件， 阳极组件提供电场以驱动电子运动；放电间隙， 位于阴极组件和阳极组件之间；所述阴极组件包括阴极孔， 产生空心阴极效应的阴极腔以及用于提供初始电子...
    2025-12-03
  • 一种适用于氮化硅陶瓷火花塞的耐用性测试装置及其方法
    一种适用于氮化硅陶瓷火花塞的耐用性测试装置及其方法_盖德新材料科技南通有限公司_202511357525.5
    本发明涉及测试设备领域， 特别是涉及一种适用于氮化硅陶瓷火花塞的耐用性测试装置及其方法。其中适用于氮化硅陶瓷火花塞的耐用性测试装置包括测试箱和固定座；测试箱内部设置为测试空腔， 测试箱顶端固定有测试连接端， 用于连接测试设备进行输出， 测试...
    2025-12-03
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