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最新专利技术
  • 一种半导体多站腔室传片、抽气机构及其薄膜沉积设备
    一种半导体多站腔室传片、抽气机构及其薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511029774.1
    本发明公开了一种半导体多站腔室传片、抽气机构及其薄膜沉积设备，半导体多站腔室传片、抽气机构包括多站腔体，所述多站腔体的中部设有抽气口，环绕所述抽气口设有至少两个子腔室，每个所述子腔室与所述抽气口之间均设有独立联通的抽气通道，所述抽气通道开设...
    2025-12-27
  • 基于ALD-PECVD协同沉积的光伏电池氧化铝钝化层制备方法
    基于ALD-PECVD协同沉积的光伏电池氧化铝钝化层制备方法_浙江日月光能科技有限公司_202511114826.5
    本发明涉及氧化铝钝化层技术领域，具体为基于ALD‑PECVD协同沉积的光伏电池氧化铝钝化层制备方法，腔体预处理, 将TOPCon电池基底装入集成腔体，依次完成抽真空、密封检测、温度调节和氮气环境平衡，为沉积工艺创造稳定条件；ALD种子层沉积...
    2025-12-27
  • 一种面料表面原位生长石墨烯薄膜工艺
    一种面料表面原位生长石墨烯薄膜工艺_上海酷冰酷热品牌管理有限公司_202511093233.5
    本发明涉及纺织功能材料技术领域，且公开了一种面料表面原位生长石墨烯薄膜工艺；本发明通过激光微结构限域催化与固/气双相碳源协同作用，结合低温等离子体活化及脉冲变温沉积技术，实现面料表面高质量石墨烯薄膜的低温原位生长：规避传统高温工艺对合成纤维...
    2025-12-27
  • 一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜
    一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510881715.0
    本发明公开一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜，涉及半导体技术研究领域，以解决现有技术中的气相沉积法形成的薄膜平整度较差的问题。方法包括提供目标衬底；基于目标工艺参数，确定目标反应腔内的沉积环境；以目标钽源作为前驱体，目标氮源作为反应物以及目...
    2025-12-27
  • 一种氮化铌薄膜及其生成方法
    一种氮化铌薄膜及其生成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510881718.4
    本发明公开一种氮化铌薄膜及其生成方法，涉及半导体薄膜制备技术领域，以解决现有技术中氮化铌薄膜厚度控制精度不足的问题。所述氮化铌薄膜的生成方法，包括：提供硅衬底；在反应腔内通过脉冲交替的方式依次通入铌源和氮源，以在所述硅衬底表面进行氮化铌薄膜...
    2025-12-27
  • 一种掺铝氧化锌薄膜及其制备方法
    一种掺铝氧化锌薄膜及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510881716.5
    本发明公开一种掺铝氧化锌薄膜及其制备方法，涉及透明导电材料技术领域，以解决现有采用原子层沉积技术制备的掺铝氧化锌薄膜存在导电性不足、膜层均匀性不足的问题。一种掺铝氧化锌薄膜制备方法包括：提供一基底；在基底上形成缓冲层；缓冲层包括介电层、多层...
    2025-12-27
  • 一种叠层防腐涂层及其制备方法和应用
    一种叠层防腐涂层及其制备方法和应用_华东理工大学_202511417968.9
    本发明涉及防腐涂层技术领域，特别是涉及一种叠层防腐涂层及其制备方法和应用，包括采用原子层沉积技术制备的Al2O3过渡底层和周期性叠层结构，Al2O3过渡底层沉积在基底表面，周期性叠层结构沉积在Al2O3过渡底层上侧，周期性叠层结构包括重复交...
    2025-12-27
  • 一种超薄金刚石载板及其制备方法和应用
    一种超薄金刚石载板及其制备方法和应用_苏州博志金钻科技有限责任公司_202511416353.4
    本发明属于电子封装载板技术领域，公开了一种超薄金刚石载板及其制备方法和应用，制备方法包括：选取异质衬底，进行清洗、种晶后引入牺牲层；通过化学气相沉积在经过步骤一预处理后的衬底上生长出致密连续的超薄金刚石膜；对金刚石薄膜依次进行表面清洁、活化...
    2025-12-27
  • 具有温度控制器的衬底处理设备
    具有温度控制器的衬底处理设备_ASMIP私人控股有限公司_202510552301.3
    一种用于处理衬底的设备可以包括：由室壁部分地限定的反应室；设置在室壁中的壁加热单元；设置在反应室内以支撑衬底的衬底支撑件；被构造和布置成面向衬底支撑件的喷淋头；设置在喷淋头中的喷淋头加热单元；以及控制器，其配置成控制壁加热单元和喷淋头加热单...
    2025-12-27
  • 基板处理装置
    基板处理装置_韩华思路信株式会社_202510566535.3
    一种基板处理装置，包括：处理腔室，配置为提供用于处理基板的处理空间；气体注入器，配置为将处理气体注入到基板上；排气管线，配置为提供用于排放残留在处理腔室中的工艺副产物的气体传输路径；辅助管线，连接到排气管线，并且配置为提供用于将压力调节气体...
    2025-12-27
  • 改善原子层沉积氮化硅薄膜缺陷的方法
    改善原子层沉积氮化硅薄膜缺陷的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002281.9
    本发明提供一种改善原子层沉积氮化硅薄膜缺陷的方法，在一个原子层沉积氮化硅薄膜的沉积步骤之后，执行一清洁步骤，清洁步骤包括：在反应腔室内，于第一温度下对反应腔室执行高温清洁；在将反应腔室的温度从第一温度降低至第二温度的过程中，执行至少两个降温...
    2025-12-27
  • 一种加热盘内置驱动机构及其薄膜沉积设备
    一种加热盘内置驱动机构及其薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511047450.0
    本发明公开了一种加热盘内置驱动机构及其薄膜沉积设备，加热盘内置驱动机构，其包括内设通腔的壳体，设置于通腔内的定子，设置于定子内的转子，固定连接于转子内的转轴，连接于壳体的上端的上压盖组件以及连接于壳体的下端的下压盖组件，转轴的上端由上压盖组...
    2025-12-27
  • 一种新型镀膜导气设备
    一种新型镀膜导气设备_泰州市辉烽常盛机械设备有限公司_202511055228.5
    本发明涉及真空镀膜领域，具体涉及一种新型镀膜导气设备，包括有入气口相连接的上层导气板和中层导气板，上层导气板和中层导气板上下拼接形成用于分散气体的分流通道，分流通道与入气口相连通，中层导气板底部设有与分流通道相互连通的下层导气板，下层导气板...
    2025-12-27
  • 聚焦环制备用化学气相沉积炉
    聚焦环制备用化学气相沉积炉_深圳市云在上半导体材料有限公司_202511060065.X
    本申请公开了聚焦环制备用化学气相沉积炉，所述聚焦环制备用化学气相沉积炉包括：化学气相沉积炉本体，喷淋单元，堵塞预防组件，导流组件，为了解决现有技术中，普通的化学气相沉积炉在制备聚焦环时，气态前驱体注入炉内时，由于喷淋头内温度过高分解产生颗粒...
    2025-12-27
  • 一种基于多孔二氧化锡纳米棒限域孤立铂原子的高效气体传感器的制备方法
    一种基于多孔二氧化锡纳米棒限域孤立铂原子的高效气体传感器的制备方法_上海大学_202511071472.0
    本发明公开了一种基于多孔SnO2纳米棒限域孤立铂原子的高效气体传感器的制备方法，通过ALD技术将孤立Pt原子精准沉积于SnO2孔道内，利用限域效应和单原子催化协同作用，显著降低传感器工作温度(190℃)，提升对丙酮的灵敏度(Ra/Rg＝6....
    2025-12-27
  • 一种多气源协同控制的金刚石生长反应气输送装置
    一种多气源协同控制的金刚石生长反应气输送装置_浙江六向体科技有限公司_202511095889.0
    本发明提供一种多气源协同控制的金刚石生长反应气输送装置，涉及金刚石制备技术领域，包括：支撑底座；所述支撑底座顶部设置有拱形撑架，支撑底座顶部呈排列状安装有三个增压抽排气泵，增压抽排气泵分别与三个不同的输气管路相连通；所述增压抽排气泵外部连接...
    2025-12-27
  • 一种实现大尺寸均匀沉积的微波等离子体增强原子层沉积或微波等离子体增强化学气相沉积设备及工艺
    一种实现大尺寸均匀沉积的微波等离子体增强原子层沉积或微波等离子体增强化学气相沉积设备及工艺_厦门芯壹方科技有限公司_202511118047.2
    本发明涉及一种实现大尺寸均匀沉积薄膜的微波等离子体增强原子层沉积或微波等离子体增强化学气相沉积设备及工艺，包括共振导波腔、反应腔室、气体分散环、石英隔离板和天线网环，共振导波腔的上腔体进行独特设计；气体分散环设置于共振导波腔外周面且用于往共...
    2025-12-27
  • 一种加热的前驱体传输管路及其薄膜沉积设备
    一种加热的前驱体传输管路及其薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511248397.0
    本发明公开了一种加热的前驱体传输管路及其薄膜沉积设备，管路包括：内设有管腔的传输管路组件、主加热单元、补偿加热单元、第一保温单元以及第二保温单元；主加热单元和补偿加热单元沿着传输管路组件的长度方向贴合于传输管路组件的外壁，第一保温单元贴合于...
    2025-12-27
  • 气相沉积炉
    气相沉积炉_湖南德智新材料股份有限公司_202510800076.0
    本申请涉及气相沉积技术领域，尤其涉及一种气相沉积炉，包括沉积室，具有工件固定槽，工件固定槽的槽壁形成沉积室的内壁，工件固定槽被配置为固定工件，以使工件的非涂层表面与工件固定槽的槽壁相贴合，并使工件的涂层表面外露，以解决涂层脱落影响工件良率的...
    2025-12-27
  • 一种高温加热结构
    一种高温加热结构_常州艾恩希纳米镀膜科技有限公司_202511058290.X
    本发明提供了一种高温加热结构，通过模块化分体设计与热膨胀补偿架构的协同创新，显著提升1650℃工况下的可靠性和能效，采用双数弧形石墨板合围侧壁加热体和半数量扇形石墨板拼接顶部加热体，结合榫卯接口与钼合金弹性补偿片，使热膨胀应力分散率明显提升...
    2025-12-27
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