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最新专利技术
  • 一种半导体硅晶片平洗装置
    一种半导体硅晶片平洗装置_青岛金汇源电子有限公司_202511087708.X
    本发明涉及晶片平洗装置技术领域，具体是一种半导体硅晶片平洗装置，包括机架，机架上滑动设置有承置板，承置板上固定有用于对硅晶片进行吸附的真空吸盘，真空吸盘的上方设置有水平横梁，水平横梁上转动设置有水平纵梁，水平纵梁的底部固定有多个喷头，机架上...
    2025-12-01
  • 承载装置及晶圆清洗设备
    承载装置及晶圆清洗设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510851918.5
    本公开涉及承载装置及晶圆清洗设备。在一方面中，提供了一种承载装置, 其包括梳齿结构，梳齿结构包括多个齿部，多个齿部成一列布置以在相邻齿部之间承载晶圆，其中，每个齿部均设置有穿孔，以形成贯穿多个齿部的供清洗液通过的通道，并且每个齿部均在其底部...
    2025-12-01
  • 一种晶圆支撑装置、安装方法及工艺腔室
    一种晶圆支撑装置、安装方法及工艺腔室_拓荆科技(上海)有限公司_202511029312.X
    本发明提供了一种晶圆支撑装置、一种晶圆支撑装置的安装方法，以及一种工艺腔室。所述晶圆支撑装置包括：伸缩部，其第一端与工艺腔室内的加热盘的背面密封连接，而其第二端与所述工艺腔室的底面密封连接，其中，所述加热盘上开设有多个第一通孔，所述伸缩部具...
    2025-12-01
  • 晶圆盒稳定装置及传片设备
    晶圆盒稳定装置及传片设备_上海新昇半导体科技有限公司_202511029575.0
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种晶圆盒稳定装置及传片设备，所述晶圆盒稳定装置包括：承载主体和稳定单元；所述承载主体具有一承载面；所述稳定单元包括运动件、夹持组件和联动组件；所述运动件被配置为：所述晶圆盒压于所述运动件，使得所述运动件由所...
    2025-12-01
  • 一种料梭机构及输送装置
    一种料梭机构及输送装置_盛欣科智能装备(江苏)有限公司_202511058151.7
    本发明属于芯片测试技术领域，公开了一种料梭机构及输送装置。料梭机构包括载具组件、集装块、正压接头和负压接头，载具组件包括承托件和支撑件，承托件设置于支撑件的一端，放置于承托件上的芯片与承托件之间具有清洁空间，载具组件具有第一清洁通道和第二清...
    2025-12-01
  • 晶圆承载装置和半导体工艺腔室
    晶圆承载装置和半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202511101315.X
    本发明提供了一种晶圆承载装置和半导体工艺腔室，其中，本发明提供的半导体工艺腔室包括：加热基座和晶圆承载盘；晶圆承载盘包括内圈部和外圈部，外圈部位于内圈部外周，外圈部承载于加热基座，内圈部与加热基座之间存在间隙；晶圆承载盘背离加热基座的一侧设...
    2025-12-01
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511047428.6
    本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供剥离处理后的键合晶圆；对键合晶圆执行气相刻蚀工艺，以去除键合晶圆的表面的晶格损伤层；对键合晶圆执行加固热处理工艺。通过对键合晶圆执行气相刻蚀工艺，可以有效去除键合晶圆的表面的晶格损伤层，并且由于...
    2025-12-01
  • 一种半导体隔离结构及形成方法
    一种半导体隔离结构及形成方法_杭州富芯半导体有限公司_202511099536.8
    本申请公开了一种半导体隔离结构及形成方法，包括提供基底；对所述基底进行第一刻蚀处理，形成第一沟槽；对所述第一沟槽进行第二刻蚀处理，形成第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽贯通以形成深沟槽，所述第一沟槽的最大横向尺寸大于所述第二沟槽的横向尺寸...
    2025-12-01
  • 改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度均匀性的方法
    改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度均匀性的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002308.4
    本发明提供一种改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度均匀性的方法，包括：在将待处理的晶圆置于反应腔室后，对晶圆进行氨气预处理；以及在氨气预处理之后，通过原子层沉积工艺在晶圆上沉积氮化硅层，其中，在原子层沉积工艺的每个循环中，采用脉冲通入和持续...
    2025-12-01
  • 改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度掉低的方法
    改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度掉低的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002325.8
    本发明提供一种改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度掉低的方法，用于通过原子层沉积形成接触刻蚀停止层氮化硅，且原子层沉积的每一循环包括如下步骤：向一包括晶圆的反应腔室中通入硅源，以在晶圆的表面上进行吸附；在完成通入硅源之后、且在通入氮源之前，...
    2025-12-01
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046954.0
    本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在顶层硅的表面形成栅氧化层；刻蚀栅氧化层、顶层硅和埋氧层，以在栅氧化层、顶层硅和埋氧层内形成第一凹槽；在第一凹槽的侧壁形成第一隔离结构，第一凹槽露出部分底层硅的表面；在栅氧化层的表面形成第一多晶硅...
    2025-12-01
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046964.4
    本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：在顶层硅的表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层、顶层硅和埋氧层内形成第一凹槽以及位于第一凹槽侧壁的第一隔离结构；在硬掩膜层的表面形成第一多晶硅材料层和第二隔离结构材料层，第一多晶硅材料层延伸至第一凹槽内并...
    2025-12-01
  • 一种针对小芯片晶圆的切割方法
    一种针对小芯片晶圆的切割方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511042043.0
    本发明涉及晶圆切割技术领域，具体地说是一种针对小芯片晶圆的切割方法。包括如下步骤：S1，提供一个晶圆，通过激光对晶圆正面进行切割；S2，对激光半切后的晶圆，在正面贴保护膜；S3，晶圆正面朝下，通过研磨一体机，对晶圆背面进行减薄，减薄至晶圆分...
    2025-12-01
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_琳得科株式会社_202511102897.3
    本发明提供一种即使在形成有保护膜的芯片等工件的加工品进一步被树脂密封的情况下，也能够提高密封树脂与保护膜之间的粘合可靠性的半导体装置的制造方法。该方法具有：将用于形成保护膜的保护膜形成膜、或保护膜形成用复合片的保护膜形成膜贴附于工件背面的工...
    2025-12-01
  • 晶圆、晶圆的减薄方法及封装方法
    晶圆、晶圆的减薄方法及封装方法_英诺赛科(珠海)科技有限公司_202511015879.1
    本发明公开了一种晶圆、晶圆的减薄方法及封装方法。所述晶圆具有外延区和环绕所述外延区的斜坡区；所述晶圆包括衬底和位于所述衬底上的外延层；所述衬底靠近所述外延层的表面开设有隔离槽，所述隔离槽位于所述斜坡区且环绕所述外延区。本发明能够降低晶圆裂片...
    2025-12-01
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星电子株式会社_202510103328.4
    示例实施例涉及半导体封装件，该半导体封装件包括：第一结构，其具有在第一半导体芯片上并且相对于第一半导体芯片在第一方向上水平地偏移的第二半导体芯片；以及覆盖第一半导体芯片的侧表面的第一绝缘图案。第一绝缘图案的宽度在从第一半导体芯片的下表面朝着...
    2025-12-01
  • 一种DFN导线架长线弧跨die的封装结构及封装方法
    一种DFN导线架长线弧跨die的封装结构及封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202510907037.0
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种DFN导线架长线弧跨die的封装结构及封装方法。包括DFN导线架，所述的DFN导线架一侧设有芯片，DFN导线架的引脚上设有铜核，位于DFN导线架、芯片、铜核外侧裹覆第一塑封料，芯片的焊盘一侧设有未裹...
    2025-12-01
  • 一种氮化镓功率封装模块及封装方法
    一种氮化镓功率封装模块及封装方法_智新半导体有限公司_202510988501.3
    本申请涉及一种氮化镓功率封装模块，包括：衬板，其上设置有氮化镓芯片；SiMOS芯片，其固定在所述氮化镓芯片上；连接基板，其上集成有磁珠，且所述连接基板固定在所述SiMOS芯片上。该氮化镓功率封装模块及封装方法，将SiMOS芯片直接焊接在氮化...
    2025-12-01
  • 一种IGBT模块封装结构
    一种IGBT模块封装结构_中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)_202511042927.6
    本发明公开了一种IGBT模块封装结构，包括IGBT模块；所述IGBT模块的顶部通过端盖封闭，IGBT模块的两端设有接线端子，IGBT模块的端面边缘加工有若干PCB板安装孔和内螺纹柱，PCB板安装在IGBT模块顶部且通过安装螺栓与PCB板安装...
    2025-12-01
  • 功率模块的组装结构
    功率模块的组装结构_台达电子工业股份有限公司_202411055603.1
    本案提供一种功率模块的组装结构，包括基板、半导体组件、底座、多个散热鳍片、锡层。基板包括第一金属表面及第二金属表面，其中第一金属表面及第二金属表面于空间上彼此相对。半导体组件设置于第一金属表面上。底座包括第一表面及第二表面，其中第一表面及第...
    2025-12-01
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