Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 三维半导体装置
    三维半导体装置_三星电子株式会社_202510363960.2
    提供了三维半导体装置。所述三维半导体装置可以包括：第一有源区域，在基底上，第一有源区域包括彼此连接的第一沟道图案和第一源极/漏极图案；第二有源区域，堆叠在第一有源区域上，第二有源区域包括彼此连接的第二沟道图案和第二源极/漏极图案；栅电极，在...
    2025-11-23
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202510948787.2
    本申请实施例提供一种显示面板和显示装置；该显示面板通过使第一输出晶体管的有源图案在衬底上的投影，位于第一类低电位信号线在衬底上的投影和第一类高电位信号线在衬底上的投影范围内，使得第一类低电位信号线和第一类高电位信号线可以对第一输出晶体管的有...
    2025-11-23
  • 阵列基板和显示面板
    阵列基板和显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510992024.8
    本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板；该阵列基板通过使第一电极与源漏极层直接接触，至少可以减少位于第一电极层和源漏极层之间的绝缘层，减少需要的掩模板的数量，提高制备效率，且通过使源漏极层与第二电极在阵列基板的厚度方向上的间距，大于第一电极...
    2025-11-23
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202511006161.6
    本申请提供一种阵列基板及显示面板；阵列基板包括基板、有源层、第一导体层、第二导体层和第三导体层，有源层包括有源部和第一极板部，第一导体层包括栅极及第二极板部，第二导体层包括源极及漏极，第三导体层包括像素电极及公共电极，像素电极与漏极电连接，...
    2025-11-23
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202511006693.X
    本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板；该阵列基板通过使钝化层与层间绝缘层的材料不同，且钝化层中的氢含量大于层间绝缘层中的氢含量，则可以去除层间绝缘层中的氮化硅层，使有源层中的悬挂键不会与层间绝缘层中的氮化硅层中的氢复合，使得有...
    2025-11-23
  • 一种混合型薄膜晶体管的显示装置
    一种混合型薄膜晶体管的显示装置_上海和辉光电股份有限公司_202510979790.0
    本发明提供一种混合型薄膜晶体管的显示装置，属于显示技术领域，包括于同一半导体基板上形成的多个薄膜晶体管，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管；还包括：屏蔽层，位于第...
    2025-11-23
  • 阵列基板、显示面板和显示装置
    阵列基板、显示面板和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202511065904.7
    一种阵列基板、显示面板和显示装置，解决了现有技术中OLED显示产品的显示效果较差的问题。其中，阵列基板，包括：衬底；像素电路，位于衬底一侧，像素电路包括发光模块和存储模块；发光模块包括串联连接的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括第一栅极...
    2025-11-23
  • 高鲁棒性的ESD保护器件
    高鲁棒性的ESD保护器件_上海海栎创科技股份有限公司_202511446339.9
    本发明提供高鲁棒性的ESD保护器件，包括：衬底，衬底的表面并列覆盖N型阱层和P型阱层；N型阱层上覆盖第一P型掺杂层和第二P型掺杂层，P型阱层上覆盖第一N型掺杂层、第二N型掺杂层和第三P型掺杂层；第一N型掺杂层靠近第二P型掺杂层，且第一N型掺...
    2025-11-23
  • 背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_芜湖协鑫集成新能源科技有限公司_202510961882.6
    本申请公开了背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件。电池的背光面包括交替排布的P区、间隔区和N区；所述背光面包括至少一个第一区域，除第一区域外的其他区域为第二区域，所述第一区域中N区的面积占比为N1，所述第二区域中N区的面积占比为N2，其中...
    2025-11-23
  • 太阳能电池和光伏组件
    太阳能电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511135172.4
    本申请涉及一种太阳能电池和光伏组件。太阳能电池包括基底、发射极结构、掺杂导电结构、第一电极和第二电极，发射极结构设于基底的第一表面上，且包括交替布设的第一高掺杂区和第一低掺杂区。掺杂导电结构设于基底的第二表面上，且包括交替布设的第二高掺杂区...
    2025-11-23
  • 光伏电池及其制备方法、光伏组件
    光伏电池及其制备方法、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511441186.9
    本申请涉及一种光伏电池及其制备方法、光伏组件。本申请的光伏电池，包括硅衬底、掺杂硅层、复合阻挡层和金属电极；硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面的硅衬底，第一表面包括第一区域和第二区域，第二表面包括第三区域和第四区域；掺杂硅层设置于第一表...
    2025-11-23
  • 一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法
    一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法_南昌凯迅光电股份有限公司_202511416993.5
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法，该三结太阳电池自下而上依次为GaAs衬底、腐蚀截止层、接触层、顶电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、应变缓冲层、底电池、应力调节层、欧姆接触层。本发明通过在...
    2025-11-23
  • 光伏电池制作方法和光伏电池
    光伏电池制作方法和光伏电池_通威太阳能(成都)有限公司_202510968952.0
    本申请涉及一种光伏电池制作方法和光伏电池。所述方法包括：在第一玻璃上进行排版处理，以使远离第一玻璃的一侧，覆盖包括开孔区域的绝缘膜带；对开孔区域进行填补处理，以使绝缘膜带上覆盖汇流条；将第二玻璃贴合于汇流条，进行层压得到光伏电池。采用本方法...
    2025-11-23
  • 一种基于3D网状增强结构的超轻高抗冲击光伏组件及其制备方法
    一种基于3D网状增强结构的超轻高抗冲击光伏组件及其制备方法_中能创低碳新能源科技(常州)有限责任公司_202510973120.8
    本发明公开了一种基于3D网状增强结构的超轻高抗冲击光伏组件及其制备方法，通过三层协同创新设计解决传统组件轻量化与抗冲击性能的矛盾问题。本发明的光伏组件梯度增强前板采用PC层与ETFE层交替层压，内部嵌有3D螺旋梯度玻璃纤维网，实现冲击应力梯...
    2025-11-23
  • 一种基于BC电池的光伏系组件封装方法
    一种基于BC电池的光伏系组件封装方法_赫里欧新能源有限公司_202511118294.2
    本发明公开了一种基于BC电池的光伏系组件封装方法，所述光伏组件光照射方向依次包括玻璃板、BC电池、电路层、胶膜和背板，所述封装方法包括：采用点胶工艺在玻璃的内侧表面形成特定位置和形状的胶点；将BC电池片的正面直接与玻璃上的胶点通过点胶进行粘...
    2025-11-23
  • 光伏组件和光伏系统
    光伏组件和光伏系统_隆基绿能科技股份有限公司_202510888900.2
    本发明提供了一种光伏组件和光伏系统，涉及光伏技术领域。光伏组件，包括：电池片；电池片设置有电极；电连接件，电连接件具有金属内芯；金属内芯通过结合材料电连接相邻两个电池片的电极；结合材料和金属内芯之间形成有第一合金层；所述电极和结合材料之间形...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池和光伏组件
    一种太阳能电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510963076.2
    本申请公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以防止太阳能电池沿同一方向上不同类型的力作用到同一直线上导致电池片损伤，组件可靠性下降。太阳能电池包括电池本体、多个集电电极、多个连接电极和多个电结合部。多个集电电极沿第一方向延伸、沿...
    2025-11-23
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511040837.3
    本申请涉及一种光伏组件，包括背接触太阳能电池片、第一粘接件以及第二粘接件，相邻的背接触太阳能电池片通过焊带连接，背接触太阳能电池片包括基底和设置于基底上的焊盘，第一粘接件设置于焊盘上，第一粘接件电连接焊盘与焊带，第二粘接件连接焊带与基底，其...
    2025-11-23
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511443434.3
    本申请涉及光伏组件及其制备方法。本申请的光伏组件包括：多个电池串、多个汇流条以及至少一个跳线；电池串包括通过焊带串联连接的多个光伏电池；多个电池串通过汇流条电连接；汇流条包括第一主体层，第一主体层具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面...
    2025-11-23
  • 基于双层沟道p-GaNAlGaNn-GaN结构光子能量探测器及方法
    基于双层沟道p-GaNAlGaNn-GaN结构光子能量探测器及方法_西安交通大学_202511041964.5
    本发明公开了一种基于双层沟道p‑GaNAlGaNn‑GaN结构光子能量探测器及方法，包括第一阳极、第二阳极、第一阴极、第二阴极、二氧化硅钝化层、p型GaN层、势垒层、n型GaN层、GaN缓冲层以及绝缘衬底，其中，x表示材料中Al的摩尔组分，...
    2025-11-23
首页 上一页 10 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证